[发明专利]摄像装置和电子设备

说明书

本发明提供了一种包括具有更大的饱和电荷的电荷保持部的摄像装置。该摄像装置设置有第一导电类型半导体基板、第二导电类型光电转换部、第二导电类型电荷保持部、传输部和沟槽部。半导体基板具有第一表面和位于第一表面相对侧的第二表面。光电转换部埋入在半导体基板中，并且通过光电转换产生与光接收量相对应的电荷。电荷保持部埋入在半导体基板中，并且保持在光电转换部中产生的电荷。传输部将电荷从光电转换部传输到传输目的地。沟槽部在电荷保持部中从第一表面朝向第二表面沿厚度方向延伸。沟槽部包括第一基体和以覆盖第一基体的方式设置的第一导电类型第一半导体层。

技术领域

本发明涉及通过光电转换来拍摄图像的摄像装置和包括该摄像装置的电子设备。

背景技术

迄今为止，已经提出了通过在光电转换部和浮动扩散部之间设置电荷保持部(存储部)来实现全局快门的固体摄像元件(例如，参见专利文献1)。全局快门是指对摄像有效的所有像素同时开始曝光然后同时完成曝光的一系列操作。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本未审查专利公开第2015-53411号

发明内容

顺便提及，期望这种固体摄像元件在电荷保持部中具有更大的饱和电荷量。

因此，期望提供包括具有更大的饱和电荷量的电荷保持部的摄像装置和包括该摄像装置的电子设备。

本发明的实施例的摄像装置包括：第一导电类型的半导体基板、第二导电类型的光电转换部、第二导电类型的电荷保持部、传输部和沟槽部。所述半导体基板包括第一表面和位于所述第一表面的相对侧的第二表面。所述光电转换部埋入在所述半导体基板中，并且被构造成通过光电转换产生与光接收量相对应的电荷。所述电荷保持部埋入在半导体层中，并且被构造成保持在所述光电转换部中产生的所述电荷。所述传输部被构造成将所述电荷从所述光电转换部传输到传输目的地。所述沟槽部在所述电荷保持部中从所述第一表面朝向所述第二表面沿厚度方向延伸。所述沟槽部包括第一基体和被设置成覆盖所述第一基体的第一导电类型的第一半导体层。

另外，作为本发明的实施例的电子设备包括上述摄像装置。

在作为本发明的各个实施例的摄像装置和电子设备中，包括覆盖第一基体的第一半导体层的沟槽部在第二导电类型的电荷保持部中沿厚度方向延伸。该构造使第一导电类型半导体区域和第二导电类型半导体区域之间的边界部分的面积增加了沟槽部的表面积的量。

附图说明

图1A是示出根据本发明的第一实施例的摄像装置的功能的构造例的框图。

图1B是示出作为第一实施例的第一变形例的摄像装置的功能的构造例的框图。

图1C是示出作为第一实施例的第二变形例的摄像装置的功能的构造例的框图。

图2是示出图1A所示的摄像装置中的一个传感器像素的电路构造的电路图。

图3是示意性地示出图1A所示的摄像装置中的传感器像素的一部分的构造的平面图。

图4的(A)是示意性地示出图1A所示的摄像装置中的传感器像素的一部分的构造的第一截面图，图4的(B)是沿着截面的传感器像素的电位状态的示意图。

图5的(A)是示意性地示出图1A所示的摄像装置中的传感器像素的一部分的构造的第二截面图，图5的(B)是沿着截面的传感器像素的电位状态的示意图。

图6的(A)是示意性地示出图1A所示的摄像装置中的传感器像素的一部分的构造的第三截面图，图6的(B)是沿着截面的传感器像素的电位状态的示意图。

图7A是示出图1所示的摄像装置的主要部分的形成方法中的一个步骤的截面图。