[发明专利]基板处理方法和基板处理装置有效
申请号: | 201980054676.X | 申请日: | 2019-08-23 |
公开(公告)号: | CN112584938B | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 盐泽崇博;榎本正志 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | B05D3/00 | 分类号: | B05D3/00;B05D3/02;B05D3/06;B05D7/00;B05D7/24;H01L21/027 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
本发明提供一种基板处理方法,该基板处理方法是针对被涂布有抗蚀层下方的膜用的含金属的液体的基板的处理方法,所述基板处理方法在对被涂布有所述含金属的液体的基板进行加热处理的加热处理工序(S05)之前包括以下工序:脱保护促进工序(S02),促进被涂布有含金属的液体的基板所包含的膜用的材料中的官能团的脱保护;溶剂去除工序(S03),去除基板的含金属的液体中包含的溶剂;以及吸湿工序(S04),使基板的表面与水分接触。
技术领域
本公开的例示性的实施方式涉及一种基板处理方法和基板处理装置。
背景技术
制造半导体的工艺具有在晶圆(基板)的表面形成蚀刻用的抗蚀图案的工序。抗蚀图案通过使形成于基板的表面的抗蚀膜曝光和显影来形成。
在专利文献1中表示了在通过在抗蚀膜的正下方涂布包含金属氧化物的掩模材料溶液并且进行加热来形成掩模材料后,在掩模材料上形成抗蚀膜来形成抗蚀图案。
专利文献1:日本特开2001-272786号公报
发明内容
本公开的例示性的实施方式提供一种实现与抗蚀图案的线宽有关的均匀性的提高的基板处理方法和基板处理装置。
一个例示性的实施方式所涉及的基板处理方法,该板处理方法是针对被涂布有抗蚀层下方的膜用的含金属的液体的基板的处理方法,所述基板处理方法在对被涂布有所述含金属的液体的所述基板进行加热处理的加热处理工序之前,包括以下工序:脱保护促进工序,促进被涂布有所述含金属的液体的所述基板所包含的所述膜用的材料中的官能团的脱保护;溶剂去除工序,去除所述基板的所述含金属的液体中包含的溶剂;以及吸湿工序,使所述基板的表面与水分接触。
根据一个例示性的实施方式,能够提供一种能够实现与抗蚀图案的线宽有关的均匀性的提高的基板处理方法和基板处理装置。
附图说明
图1是表示一个例示性的实施方式所涉及的基板处理系统的立体图。
图2是表示一个例示性的实施方式所涉及的基板处理系统的内部结构的示意图。
图3是表示基板处理系统的主要部分的框图。
图4是表示控制装置的硬件结构的概要图。
图5是说明一个例示性的实施方式所涉及的基板处理方法的流程图。
图6是说明变形例所涉及的基板处理方法的流程图。
图7是变形例所涉及的基板处理系统的处理模块的概要图。
图8的(A)、图8的(B)、图8的(C)以及图8的(D)是表示比较例和实施例所涉及的基板的抗蚀图案的线宽的评价结果的图。
图9的(A)、图9的(B)、图9的(C)以及图9的(D)是表示比较例和实施例所涉及的基板的金属硬掩模的膜厚度的评价结果的图。
具体实施方式
在以下说明各种例示性的实施方式。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980054676.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。