[发明专利]X射线装置在审

专利信息
申请号: 201980054925.5 申请日: 2019-06-25
公开(公告)号: CN112602381A 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 浦田朋晃 申请(专利权)人: 株式会社岛津制作所
主分类号: H05G1/26 分类号: H05G1/26;A61B6/00;H05G1/34
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 射线 装置
【说明书】:

管理装置(70)具备:消耗程度检测部(72),其根据对发射器施加的电压、电流或通电时间来检测发射器的消耗程度;附着量估计部(73),其基于发射器的消耗程度、以及存储在存储部(71)中的发射器的消耗程度与导电体附着于外壳的附着量的关系,来估计导电体附着于外壳的附着量;以及沿面放电估计部(74),其基于发射器的消耗程度、存储在存储部(71)中的发射器的消耗程度与导电体附着于外壳的附着量的关系、以及存储在存储部(71)中的导电体附着于外壳的附着量与针对外壳的沿面放电的概率的关系,来估计发生沿面放电的概率。

技术领域

本发明涉及一种具备在外壳内配设有发射器和靶的X射线产生部的X射线装置。

背景技术

作为具备X射线管的X射线产生部的寿命,能够列举X射线管的放电寿命。例如,对于因X射线管的真空度降低而引起的空间放电,以往根据X射线管的真空度来预测放电的危险度(参照专利文献1)。另外,也利用来自X射线产生部的X射线的曝光次数来预测放电的危险度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2006-100174号公报

发明内容

发明要解决的问题

作为成为X射线管的放电寿命的根源的放电,除空间放电之外,不仅能够列举因X射线管的真空度降低而引起的空间放电,还能够列举因构成发射器的导电体附着于构成X射线管的外壳的内周面而产生的沿面放电。关于因构成该发射器的导电体附着于外壳的内表面而产生的沿面放电,难以预测危险度。另外,在利用来自X射线产生部的X射线的曝光次数来预测放电的危险度的情况下,由于放电的危险度根据X射线曝光时的管电压、管电流以及曝光时间等X射线条件而不同,因此产生危险度的预测精度不准确这样的问题。

本发明是为了解决上述课题而完成的,其目的在于提供一种能够更准确地估计构成发射器的导电体附着于外壳的附着量的X射线装置。

用于解决问题的方案

第一发明的特征在于,具备:X射线产生部,其具有发射器、靶以及外壳,其中,所述发射器由导电体构成,用于发射电子,所述靶由于从所述发射器发射出的电子与所述靶碰撞而产生X射线,所述外壳用于收纳所述发射器和所述靶;消耗程度检测部,其检测所述发射器的消耗程度;存储部,其存储所述发射器的消耗程度与构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量的关系;以及附着量估计部,其基于所述发射器的消耗程度、以及存储在所述存储部中的所述发射器的消耗程度与构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量的关系,来估计构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量。即,第一发明所涉及的X射线装置具备:X射线产生部,其具有发射器、靶以及外壳,其中,所述发射器由导电体构成,用于发射电子,所述靶由于从所述发射器发射出的电子与所述靶碰撞而产生X射线,所述外壳用于收纳所述发射器和所述靶;存储部,其存储所述发射器的消耗程度与构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量的关系;以及处理器,其执行以下的处理。(1)检测发射器的消耗程度。(2)基于发射器的消耗程度、存储在存储部中的发射器的消耗程度与构成发射器的导电体附着于外壳的附着量的关系,来估计构成发射器的导电体附着于外壳的附着量。

关于第二发明,所述消耗程度检测部根据对所述发射器施加的电压、电流或通电时间来检测所述发射器的消耗程度。即,处理器执行根据对发射器施加的电压、电流或通电时间来检测发射器的消耗程度的处理。

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