[发明专利]非水电解质二次电池在审

专利信息
申请号: 201980056238.7 申请日: 2019-08-01
公开(公告)号: CN112640157A 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 鉾谷伸宏;森川敬元 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01M4/133 分类号: H01M4/133;H01M4/13;H01M4/131;H01M4/36;H01M4/48;H01M4/485;H01M4/587;H01M10/052;H01M10/0587
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 水电 二次 电池
【权利要求书】:

1.一种非水电解质二次电池,其具备正极板与负极板隔着间隔件卷绕而成的电极体、和容纳所述电极体的外包装体,

所述负极板具有:负极集电体、在所述负极集电体的卷内侧的第1面形成的第1负极合剂层、和在所述负极集电体的卷外侧的第2面形成的第2负极合剂层,

所述第1负极合剂层包含第1石墨粒子作为主成分,

所述第2负极合剂层包含第2石墨粒子作为主成分,

所述第1石墨粒子的内部空隙率小于所述第2石墨粒子的内部空隙率。

2.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池,其中,

所述第1石墨粒子的内部空隙率为5%以下,

所述第2石墨粒子的内部空隙率为8%以上且20%以下。

3.根据权利要求1或2所述的非水电解质二次电池,其中,

所述第1负极合剂层包含含有硅的第1硅材料粒子,所述第1硅材料粒子的含量相对于所述第1石墨粒子与所述第1硅材料粒子的合计质量为2质量%以上且10质量%以下,

所述第2负极合剂层包含含有硅的第2硅材料粒子,所述第2硅材料粒子的含量相对于所述第2石墨粒子与所述第2硅材料粒子的合计质量为2质量%以上且10质量%以下。

4.根据权利要求3所述的非水电解质二次电池,其中,

所述第1硅材料粒子和所述第2硅材料粒子为选自以通式SiOx表示的氧化硅粒子、和以通式Li2zSiO(2+z)表示的在硅酸锂相中分散有硅相的硅酸锂-硅复合体粒子中的至少一种,其中,0.5≤x<1.6。

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