[发明专利]具有指数加权修整的电阻器

权利要求书

1.一种电子设备，包括：

半导体衬底；

串联电阻器和旁路电阻器，所述串联电阻器和所述旁路电阻器串联连接在第一连接节点和第二连接节点之间；

多个熔断电阻器，所述多个熔断电阻器连接在所述第二连接节点以及所述串联电阻器和所述旁路电阻器之间的电路节点之间，所述多个熔断电阻器具有形成指数级数的电阻值，所述串联电阻器和旁路电阻器以及每个熔断电阻器包括在所述衬底中形成的一个或多个掺杂电阻区，每个所述熔断电阻器的第一端子连接到多个可熔链路中的相应可熔链路的第一端子；以及

第一互连总线和第二互连总线，所述第一互连总线和第二互连总线位于所述衬底上方，所述第一互连总线连接到每个所述熔断电阻器的第二端子，并且所述第二互连总线连接到每个所述可熔链路的第二端子；

其中，所述串联电阻器和所述旁路电阻器以及所述熔断电阻器的所述掺杂电阻区被配置为二维矩阵，所述串联电阻器和所述旁路电阻器的掺杂电阻区位于所述熔断电阻器的掺杂电阻区的第一子集和所述熔断电阻器的掺杂电阻区的第二子集之间。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中每个熔断电阻器的电阻值为所述多个熔断电阻器中的另一个熔断电阻器的电阻的两倍，或者其电阻值为所述多个熔断电阻器中的另一个熔断电阻器的电阻的一半。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述多个熔断电阻器中的每一个包括一个或多个单位电阻器。

4.根据权利要求1所述的电子设备，其中第一熔断电阻器包括串联连接的N个单位电阻器，并且第二熔断电阻器包括并联连接的N个单位电阻器。

5.根据权利要求4所述的电子设备，其中第三熔断电阻器包括不超过一个单位电阻器。

6.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述指数级数包括所述熔断电阻器的以二的整数次幂增加的电阻值。

7.一种形成集成电路的方法，包括：

在半导体衬底中形成多个单位电阻器；

在第一连接节点和第二连接节点之间串联连接第一单位电阻器和第二单位电阻器；

串联连接所述单位电阻器的第一子集N，由此形成第一复合电阻器；

并联连接所述单位电阻器的第二子集N，由此形成第二复合电阻器；

将所述第一复合电阻器的第一端子和所述第二复合电阻器的第一端子连接到第一连接总线，所述第一连接总线连接到所述第一单位电阻器和所述第二单位电阻器之间的第三连接节点；以及

将所述第一复合电阻器的第二端子和所述第二复合电阻器的第二端子连接到第二连接总线，所述第二连接总线连接到所述第二连接节点；

其中，所述单位电阻器被以二维方式配置，所述第一单位电阻器和所述第二单位电阻器位于所述单位电阻器的第一子集N和所述单位电阻器的第二子集N之间。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括将第一可熔链路定位在所述第二连接总线和所述第一复合电阻器之间，以及将第二可熔链路定位在所述第二连接总线和所述第二复合电阻器之间。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括将单个单位电阻器的第一端子连接到所述第一连接总线，以及经由第三可熔链路将所述单个单位电阻器的第二端子连接到所述第二连接总线。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括断开所述第一可熔链路和所述第二可熔链路中的至少一个。