[发明专利]具有指数加权修整的电阻器

说明书

本发明公开一种电子设备(100)，例如可修整电阻器，其包括具有逐渐增大的电阻值的多个熔断电阻器。可选地，这些电阻值形成指数级数。每个熔断电阻器包括形成在半导体衬底中的一个或多个掺杂电阻区(410)，这些掺杂电阻区可选地是热敏电阻器。每个熔断电阻器的第一端子连接到多个可熔链路(135)中的相应可熔链路的第一端子。第一互连总线(125)和第二互连总线(130)位于衬底上方，其中第一互连总线连接到每个熔断电阻器的第二端子，并且第二互连总线连接到每个可熔链路的第二端子。

技术领域

本申请涉及半导体设备领域，并且更具体地但非排他地涉及具有修整能力的电阻器。

背景技术

精密电阻器在各种电子设备和组合件中起着重要作用。此类电阻器可以经济地形成在半导体衬底或晶片上，但由于诸如整个晶片上的工艺不均匀性等因素，以这种方式形成的此类电阻器可能具有相对较大的电阻值分布。这种分布可能需要按电阻值对电阻器进行分类以在敏感应用中提供已知精度的电阻器。在一些情况下，可能会报废与目标电阻有较大偏差的电阻器。

发明内容

发明人公开了可有益地用于制造包括可调电阻器(例如，可编程热敏电阻器网络)的集成电路(IC)的各种方法和设备。尽管可能期望此类实施例提供实现可调电阻器群体中的目标电阻的改善，但不需要特别的结果。

本说明书介绍一种电子设备，例如可修整电阻器。该设备包括多个熔断电阻器，每个熔断电阻器包括在半导体衬底中形成的一个或多个掺杂电阻区。掺杂电阻区可以是热敏电阻器。每个熔断电阻器还包括多个可熔链路中的相应可熔链路。每个熔断电阻器的第一端子连接到相应可熔链路的第一端子。第一互连总线和第二互连总线位于衬底上方，其中第一互连总线连接到每个熔断电阻器的第二端子，并且第二互连总线连接到每个可熔链路的第二端子。多个熔断电阻器具有形成指数级数的电阻值。

另一个示例提供了一种形成集成电路的方法。该方法包括在半导体衬底中形成多个单位电阻器。串联连接单位电阻器的第一子集，由此形成第一电阻器。并联连接单位电阻器的第二子集，由此形成第二电阻器。将第一电阻器的第一端子和第二电阻器的第一端子连接到第一连接总线，并且将第一电阻器的第二端子和第二电阻器的第二端子连接到第二连接总线。

另一个示例提供了一种形成电子设备的方法。在半导体衬底上方形成多个单位电阻器以及第一互连总线和第二互连总线。在第一互连总线和第二互连总线之间连接多个复合电阻器，所述多个复合电阻器中的每个复合电阻器包括并联连接的多个单位电阻器的子集或串联连接的多个单位电阻器的子集。在第二互连总线和复合电阻器中的相应复合电阻器的每一个之间连接多个可熔链路中的相应可熔链路。经由多个可熔链路中的一个可熔链路将单位电阻器直接连接到第一互连总线和第二互连总线。

又一个示例提供了一种电子设备，例如可修整电阻器。该设备包括第一多个单位电阻器和第二多个单位电阻器，每个单位电阻器形成在半导体衬底中或上方并且具有相同的标称电阻值。第一多个单位电阻器在第一节点和第二节点之间互连，并且第一多个单位电阻器中的第一单位电阻器和第二单位电阻器连接在第三节点处。第二多个单位电阻器各自连接在第二节点和第三节点之间。第一多个单位电阻器和第二多个单位电阻器被布置成二维阵列，其中第一多个单位电阻器位于第二多个单位电阻器的第一子集和第二多个单位电阻器的第二子集之间。

附图说明

图1A和图1B示出了根据各种示例的可调电阻器网络的示意图的各方面；

图2示出根据一个示例的可出现在半导体管芯上的图1A的可调电阻器网络的物理布局；

图3示出图2的物理布局的示意图，其特征在于可调电阻器网络中的单位电阻器之间的互连；

图4A-图4C示出在半导体衬底中实现的单位电阻器(例如，热敏电阻器)的物理特征；

图5以对数线性曲线图示出作为梯熔丝代码的函数的图1A的可调电阻器网络的多个电阻器的测量电阻的电阻增加百分比的一个示例；