[发明专利]硅试样的碳浓度评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法和硅单晶锭的制造方法

权利要求书

1.一种硅试样的碳浓度评价方法，其特征在于，包括：

向评价对象硅试样导入氢原子；

对导入了所述氢原子的评价对象硅试样进行基于评价硅的带隙中的陷阱能级的评价法的评价；以及

基于在由所述评价得到的评价结果中与选自由Ec-0.10eV、Ec-0.13eV和Ec-0.15eV构成的组中的至少一个陷阱能级的密度相关的评价结果，评价所述评价对象硅试样的碳浓度；

还包括在从所述氢原子的导入到所述评价的期间，进行使用加热手段将评价对象硅试样加热至35℃～80℃范围的加热温度的加热处理。

2.根据权利要求1所述的硅试样的碳浓度评价方法，其特征在于，

对导入了所述氢原子的评价对象硅试样不进行电子线照射处理而进行所述评价。

3.根据权利要求1或2所述的硅试样的碳浓度评价方法，其特征在于，

基于由所述评价得到的评价结果中与Ec-0.15eV的陷阱能级的密度相关的评价结果，进行所述评价对象硅试样的碳浓度的评价。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的硅试样的碳浓度评价方法，其特征在于，

通过将评价对象硅试样浸渍于溶液，进行所述氢原子的导入。

5.根据权利要求4所述的硅试样的碳浓度评价方法，其特征在于，

所述溶液是含有HF的溶液。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的硅试样的碳浓度评价方法，其特征在于，

所述评价法是DLTS法。

7.根据权利要求6所述的硅试样的碳浓度评价方法，其特征在于，

在基于所述DLTS法的评价前，通过在导入了所述氢原子的评价对象硅试样形成半导体结和欧姆层来制作二极管，对所述制作的二极管进行基于所述DLTS法的评价。

8.根据权利要求7所述的硅试样的碳浓度评价方法，其特征在于，

在所述二极管的制作前或制作后进行所述加热处理。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的硅试样的碳浓度评价方法，其特征在于，

在从所述氢原子的导入起18小时以内进行所述加热处理。

10.一种硅晶片制造工序的评价方法，其特征在于，包括：

通过权利要求1～9中任一项所述的方法，评价在评价对象的硅晶片制造工序中制造的硅晶片的碳浓度；以及

基于所述评价的结果，评价评价对象的硅晶片制造工序中的碳污染的程度。

11.一种硅晶片的制造方法，其特征在于，包括：

通过权利要求10所述的评价方法，进行硅晶片制造工序的评价；以及

在所述评价的结果判定为碳污染的程度为容许水平的硅晶片制造工序中、或者在对所述评价的结果判定为碳污染的程度超过容许水平的硅晶片制造工序实施了碳污染降低处理之后，在该硅晶片制造工序中制造硅晶片。

12.一种硅单晶锭的制造方法，其特征在于，包括：

培育硅单晶锭；

通过权利要求1～9中任一项所述的方法，评价从所述硅单晶锭切出的硅试样的碳浓度；

基于所述评价的结果，确定硅单晶锭的制造条件；以及

在确定的制造条件下培育硅单晶锭。