[发明专利]硅试样的碳浓度评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法和硅单晶锭的制造方法

说明书

本发明提供一种硅试样的碳浓度评价方法，其包括：向评价对象硅试样导入氢原子；对导入了上述氢原子的评价对象硅试样进行基于评价硅的带隙中的陷阱能级的评价法的评价；以及基于在由上述评价得到的评价结果中与选自由Ec(导带底部的能量)‑0.10eV、Ec‑0.13eV和Ec‑0.15eV构成的组中的至少一个陷阱能级的密度相关的评价结果，评价上述评价对象硅试样的碳浓度；还包括在从上述氢原子的导入到上述评价的期间，进行使用加热手段将评价对象硅试样加热至35℃～80℃范围的加热温度的加热处理。

技术领域

本发明涉及硅试样的碳浓度评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法和硅单晶锭的制造方法。

背景技术

近年来，正在研究评价硅试样的碳浓度(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-191800号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

在作为半导体基板使用的硅晶片中，希望降低引起器件特性下降的杂质污染。近年来，作为包含于硅晶片的杂质，碳受到关注，正在研究降低硅晶片的碳污染。

为了降低碳污染，评价硅试样的碳浓度，希望基于评价结果，管理硅晶片的制造工序、切出硅晶片的硅单晶锭的制造工序，以降低在制造工序中混入的碳。发现用于评价硅试样的碳浓度新的方法在进行这种工序管理方面是有用的。

本发明的一种方式的目的在于提供一种用于评价硅试样的碳浓度的新的方法。

用于解决技术问题的手段

本发明的一种方式涉及一种硅试样的碳浓度评价方法(以下也记载为“碳浓度评价方法”)，其包括：

向评价对象硅试样导入氢原子；

对导入了上述氢原子的评价对象硅试样进行基于评价硅的带隙中的陷阱能级的评价法的评价；以及

基于在由上述评价得到的评价结果中与选自由Ec(导带底部的能量)-0.10eV、Ec-0.13eV和Ec-0.15eV构成的组中的至少一个陷阱能级的密度相关的评价结果，评价上述评价对象硅试样的碳浓度，

还包括在从上述氢原子的导入到上述评价的期间，进行使用加热手段将评价对象硅试样加热至35℃～80℃范围的加热温度的加热处理。

上述加热处理中，硅试样表面的温度可能会变化。与上述硅试样的加热处理相关的加热温度是指通过加热处理加热的硅试样表面的最高温度。

在一种方式中，在上述碳浓度评价方法中，可以对导入了上述氢原子的评价对象硅试样不进行电子线照射处理而进行上述评价。

在一种方式中，可以基于由上述评价得到的评价结果中与Ec-0.15eV的陷阱能级的密度相关的评价结果，进行上述评价对象硅试样的碳浓度的评价。

在一种方式中，可以通过将评价对象硅试样浸渍于溶液，进行上述氢原子的导入。

在一种方式中，上述溶液可以是含有HF(氟化氢)的溶液。

在一种方式中，上述评价法可以是DLTS法(Deep-Level TransientSpectroscopy，深能级瞬态谱)。

在一种方式中，可以在基于上述DLTS法的评价前，通过在导入了上述氢原子的评价对象硅试样形成半导体结和欧姆层来制作二极管，可以对制作的二极管进行基于上述DLTS法的评价。

在一种方式中，可以在上述二极管的制作前或制作后进行上述加热处理。