[发明专利]固体摄像装置和电子设备

权利要求书

1.一种固体摄像装置，包括：

第一半导体器件，其包括以像素为单位而生成像素信号的摄像元件；

第二半导体器件，在所述第二半导体器件中，利用填埋部件而埋入有所述像素信号的信号处理所需的信号处理电路；和

含硅层，

其中，所述第一半导体器件和所述第二半导体器件彼此电气连接，并且

所述第一半导体器件、所述含硅层和所述第二半导体器件按此顺序布置着。

2.根据权利要求1所述的固体摄像装置，

其中，形成有贯穿所述含硅层的贯穿通路，并且所述第一半导体器件和所述第二半导体器件经由所述贯穿通路彼此电气连接。

3.根据权利要求1所述的固体摄像装置，

其中，所述第一半导体器件和所述第二半导体器件通过Cu-Cu接合而彼此电气连接。

4.根据权利要求1所述的固体摄像装置，

其中，所述第一半导体器件和所述第二半导体器件通过Cu-Cu接合而彼此电气连接，并且

所述含硅层形成在所述第一半导体器件与所述第二半导体器件之间的所述Cu-Cu接合的界面处。

5.根据权利要求1所述的固体摄像装置，

其中，形成有贯穿所述含硅层的贯穿通路，并且所述第一半导体器件和所述第二半导体器件经由所述贯穿通路通过所述Cu-Cu接合而彼此电气连接。

6.根据权利要求1所述的固体摄像装置，

其中，所述含硅层跨多个像素而连续地形成。

7.根据权利要求1所述的固体摄像装置，

其中，所述含硅层包含从由单晶硅、非晶硅和多晶硅组成的群组中选择的至少一种硅。

8.根据权利要求1所述的固体摄像装置，

其中，所述含硅层包含掺杂物。

9.根据权利要求8所述的固体摄像装置，

其中，所述含硅层中的所述掺杂物的含量为1E18原子/cm³以上。

10.一种固体摄像装置，包括：

第一半导体器件，其包括以像素为单位而生成像素信号的摄像元件；

第二半导体器件，在所述第二半导体器件中，利用填埋部件而埋入有所述像素信号的信号处理所需的第一信号处理电路；

第三半导体器件，在所述第三半导体器件中，利用填埋部件而埋入有所述像素信号的信号处理所需的第二信号处理电路；和

含硅层，

其中，所述第一半导体器件和所述第二半导体器件彼此电气连接，

所述第一半导体器件和所述第三半导体器件彼此电气连接，

所述第一半导体器件、所述含硅层和所述第二半导体器件按此顺序布置着，并且

所述第一半导体器件、所述含硅层和所述第三半导体器件按此顺序布置着。

11.根据权利要求10所述的固体摄像装置，

其中，所述第二半导体器件和所述第三半导体器件形成在大致同一层中。

12.根据权利要求10所述的固体摄像装置，

其中，形成有贯穿所述含硅层的第一贯穿通路和第二贯穿通路，

所述第一半导体器件和所述第二半导体器件经由所述第一贯穿通路彼此电气连接，并且

所述第一半导体器件和所述第三半导体器件经由所述第二贯穿通路彼此电气连接。

13.根据权利要求10所述的固体摄像装置，

其中，所述第一半导体器件和所述第二半导体器件通过Cu-Cu接合而彼此电气连接，并且

所述第一半导体器件和所述第三半导体器件通过Cu-Cu接合而彼此电气连接。