[发明专利]固体摄像装置和电子设备在审
申请号: | 201980057505.2 | 申请日: | 2019-08-20 |
公开(公告)号: | CN112640112A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 斋藤卓 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;H04N5/335;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 电子设备 | ||
希望提供能够进一步提高固体摄像装置的品质和可靠性的固体摄像装置。提供了一种固体摄像装置,其包括:第一半导体器件,其包括以像素为单位而生成像素信号的摄像元件;第二半导体器件,在该第二半导体器件中,利用填埋部件而埋入有像素信号的信号处理所需的第一信号处理电路;第三半导体器件,在该第三半导体器件中,利用填埋部件而埋入有像素信号的信号处理所需的第二信号处理电路;和含硅层。第一半导体器件和第二半导体器件彼此电气连接,第一半导体器件和第三半导体器件彼此电气连接,第一半导体器件、含硅层和第二半导体器件按此顺序布置着,并且第一半导体器件、含硅层和第三半导体器件按此顺序布置着。
技术领域
本技术涉及固体摄像装置和电子设备。
背景技术
通常,诸如CMOS(互补金属氧化物半导体:complementary metal oxidesemiconductor)图像传感器和CCD(电荷耦合器件:charge coupled device)等固体摄像装置广泛地用于数码照相机、数码摄影机等中。
近年来,已经积极地开发了用于使固体摄像装置小型化的技术,并且例如,曾经提出了通过WoW(晶片上晶片:wafer on wafer)方式把固体摄像元件与诸如信号处理电路和存储电路等电路以晶片状态相结合而层叠起来的技术。
引用技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利申请特开第2014-099582号公报
发明内容
要解决的技术问题
然而,尽管专利文献1中所提出的技术可以实现固体摄像装置的小型化,但是依然存在着无法进一步提高固体摄像装置的品质和可靠性的问题。
因此,本技术是鉴于这种状况而做出的,并且本技术的主要目的是提供一种能够进一步提高固体摄像装置的品质和可靠性的固体摄像装置以及配备有这种固体摄像装置的电子设备。
技术问题的解决方案
本发明的发明人进行了努力研究来解决上述问题,结果,成功地进一步提高了固体摄像装置的品质和可靠性,由此完成了本技术。
也就是说,作为第一方面,本技术提供了一种固体摄像装置,其设置有:
第一半导体器件,其包括以像素为单位而生成像素信号的摄像元件;
第二半导体器件,在所述第二半导体器件中,利用填埋部件而埋入有所述像素信号的信号处理所必需的信号处理电路;和
含硅层,
其中,所述第一半导体器件和所述第二半导体器件彼此电气连接,并且
所述第一半导体器件、所述含硅层和所述第二半导体器件按此顺序布置着。
在根据本技术的第一方面的固体摄像装置中,可以形成有贯穿所述含硅层的贯穿通路,并且所述第一半导体器件和所述第二半导体器件可以经由所述贯穿通路彼此电气连接。
在根据本技术的第一方面的固体摄像装置中,所述第一半导体器件和所述第二半导体器件可以通过Cu-Cu接合而彼此电气连接。
在根据本技术的第一方面的固体摄像装置中,所述第一半导体器件和所述第二半导体器件可以通过Cu-Cu接合而彼此电气连接,并且
所述含硅层可以形成在所述第一半导体器件与所述第二半导体器件之间的所述Cu-Cu接合的界面处。
在根据本技术的第一方面的固体摄像装置中,可以形成有贯穿所述含硅层的贯穿通路,并且所述第一半导体器件和所述第二半导体器件可以经由所述贯穿通路通过所述Cu-Cu接合而彼此电气连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980057505.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于口腔护理工具的头部和包括此类头部的套件
- 下一篇:有状态监视的测量插入物
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的