[发明专利]涂布膜形成方法以及涂布膜形成装置

说明书

在基板的面内快速形成膜厚均匀性高的涂布膜。实施以下工序：保持工序，由基板保持部保持基板；气流形成工序，对所述基板的周围进行排气来在该基板的表面形成气流；涂布液供给工序，向所述基板的表面供给用于形成涂布膜的涂布液；气流控制工序，使用于覆盖所述基板的覆盖构件相对于被供给了所述涂布液的基板从第一位置向第二位置相对移动，在该第二位置处的覆盖构件与以第一转数旋转的所述基板的表面之间形成的间隙，以流速比覆盖构件位于所述第一位置时的流速大的方式形成所述气流；以及膜厚分布调整工序，接着使所述基板以比所述第一转数高的第二转数进行旋转，以甩落所述基板的周缘部的涂布液来调整所述涂布膜的膜厚分布。

技术领域

本公开涉及一种涂布膜形成方法以及涂布膜形成装置。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，对作为圆形基板的半导体晶圆(以下称为晶圆)涂布抗蚀剂等各种涂布液来进行成膜处理。在专利文献1中记载了以下内容：在使涂布于晶圆的抗蚀剂干燥时，在该晶圆上配置沿着晶圆的圆周的环状构件，来对该晶圆上的气流进行整流。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-92392号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够在基板的面内快速形成膜厚均匀性高的涂布膜的技术。

用于解决问题的方案

本发明的涂布膜形成装置中，执行以下工序：

保持工序，由基板保持部保持基板；

气流形成工序，对所述基板的周围进行排气来在该基板的表面形成气流；

涂布液供给工序，向所述基板表面供给用于形成涂布膜的涂布液；

气流控制工序，使用于覆盖所述基板的覆盖构件相对于被供给了所述涂布液的基板从第一位置向第二位置相对移动，在该第二位置处的覆盖构件与所述基板的表面之间形成的间隙，以流速比覆盖构件位于所述第一位置时的流速大的方式形成所述气流；以及

膜厚分布调整工序，接着使所述基板以比所述第一转数高的第二转数进行旋转，以甩落所述基板的周缘部的涂布液来调整所述涂布膜的膜厚分布，所述第一转数是所述气流控制工序中的基板的转数。

发明的效果

根据本公开能够提供一种能够在基板的面内快速形成膜厚均匀性高的涂布膜的技术。

附图说明

图1是作为本公开的一个实施方式的抗蚀剂涂布装置的纵截面侧视图。

图2是所述抗蚀剂涂布装置的俯视图。

图3是示出通过所述抗蚀剂涂布装置处理的晶圆的一例的说明图。

图4是用于说明晶圆的周围的气流的说明图。

图5是用于说明晶圆的周围的气流的说明图。

图6是示出晶圆的转数的变化的一例的时序图。

图7是示出对晶圆进行的涂布处理的工序图。

图8是示出对晶圆进行的涂布处理的工序图。

图9是示出对晶圆进行的涂布处理的工序图。

图10是示出对晶圆进行的涂布处理的工序图。