[发明专利]碳纳米管复合体、碳纳米管复合体的制造方法、以及精制碳纳米管的制造方法

权利要求书

1.一种碳纳米管复合体，其包括

一个碳纳米管；以及

被覆所述碳纳米管的包含无定形碳的层，

所述碳纳米管的D/G比为0.1以下，所述D/G比是波长为532nm的拉曼光谱分析中D带的峰强度与G带的峰强度之比，

所述碳纳米管复合体呈纤维状，并且直径为0.1μm以上50μm以下。

2.根据权利要求1所述的碳纳米管复合体，其中所述包含无定形碳的层的D/G比为0.5以上，所述D/G比是波长为532nm的拉曼光谱分析中D带的峰强度与G带的峰强度之比。

3.根据权利要求1或2所述的碳纳米管复合体，其中所述碳纳米管复合体的长度为10μm以上。

4.一种制造碳纳米管复合体的方法，该方法包括：

准备一个碳纳米管的第一步骤；以及

通过用包含无定形碳的层被覆所述碳纳米管，从而获得碳纳米管复合体的第二步骤。

5.根据权利要求4所述的制造碳纳米管复合体的方法，其中

所述碳纳米管的D/G比为0.1以下，所述D/G比是波长为532nm的拉曼光谱分析中D带的峰强度与G带的峰强度之比，并且

所述碳纳米管复合体呈纤维状，并且直径为0.1μm以上50μm以下。

6.根据权利要求4或5所述的制造碳纳米管复合体的方法，其中所述第二步骤包括在烃系气体中于950℃以上1100℃以下的温度对所述碳纳米管进行热处理。

7.一种制造精制碳纳米管的方法，该方法包括

准备一个碳纳米管的第一步骤；

通过用包含无定形碳的层被覆所述碳纳米管，从而获得碳纳米管复合体的第二步骤；以及

通过除去所述碳纳米管复合体中的所述包含无定形碳的层，从而获得精制碳纳米管的第三步骤。

8.根据权利要求7所述的制造精制碳纳米管的方法，其中

所述碳纳米管和所述精制碳纳米管各自的D/G比为0.1以下，所述D/G比是波长为532nm的拉曼光谱分析中D带的峰强度与G带的峰强度之比，并且

所述碳纳米管复合体呈纤维状，并且直径为0.1μm以上50μm以下。

9.根据权利要求8所述的制造精制碳纳米管的方法，其中

当所述碳纳米管的所述D/G比的值为R1，并且所述精制碳纳米管的所述D/G比的值为R2时，所述R1和所述R2表现出由下式1表示的关系：

-0.2≤R2-R1≤0.2 式1，

在此，在上式1中，所述R1满足0≤R1≤0.1并且所述R2满足0≤R2≤0.1。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的制造精制碳纳米管的方法，其中所述第二步骤包括在烃系气体中于950℃以上1100℃以下的温度对所述碳纳米管进行热处理。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的制造精制碳纳米管的方法，其中所述第三步骤包括在氧化条件下，于400℃以上800℃以下的温度对所述碳纳米管复合体进行热处理。

12.根据权利要求11所述的制造精制碳纳米管的方法，其中所述第三步骤包括在氧化条件下，于560℃以上690℃以下的温度对所述碳纳米管复合体进行热处理。

13.根据权利要求7至12中任一项所述的制造精制碳纳米管的方法，其中所述第三步骤包括用激光束照射所述碳纳米管复合体。