[发明专利]碳纳米管复合体、碳纳米管复合体的制造方法、以及精制碳纳米管的制造方法

说明书

所述碳纳米管复合体包括一个碳纳米管和被覆各碳纳米管的包含无定形碳的层。碳纳米管的D/G比不超过0.1，D/G比是波长为532nm的拉曼光谱分析中D带的峰强度与G带的峰强度之比。碳纳米管复合体呈纤维状并且其直径落入0.1μm以上50μm以下的范围。

技术领域

本公开涉及碳纳米管复合体、碳纳米管复合体的制造方法、以及精制碳纳米管的制造方法。本申请要求在2018年9月3日提交的日本专利申请No.2018-164908的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

背景技术

由以六边形图案结合的碳原子制成的圆筒状薄片构成的碳纳米管是一种具有优异特性的材料，例如其重量为铜的五分之一、强度为钢铁的20倍，并且具有类似于金属的导电性。因此，作为纳米碳材料之一的碳纳米管有望作为有助于电子部件和储电装置的轻量化和小型化、并显著改善其性能的材料。

例如，如专利文献1(日本专利特开No.2005-330175)所述，通过气相生长法获得碳纳米管，该方法在加热诸如铁之类的微细催化剂的同时供给含碳的原料气体，以使碳纳米管由催化剂上生长。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本专利特开No.2005-330175

发明内容

[1]根据本公开的一个方面的碳纳米管复合体为

包括一个碳纳米管和被覆碳纳米管的包含无定形碳的层的碳纳米管复合体，

碳纳米管的D/G比为0.1以下，D/G比是波长为532nm的拉曼光谱分析中D带的峰强度与G带的峰强度之比，

碳纳米管复合体呈纤维状，并且直径为0.1μm以上50μm以下。

[2]根据本公开的一个方面的制造碳纳米管复合体的方法为

制造碳纳米管复合体的方法，该方法包括：

准备一个碳纳米管的第一步骤；以及

通过用包含无定形碳的层被覆碳纳米管，从而获得碳纳米管复合体的第二步骤。

[3]根据本公开的一个方面的制造精制碳纳米管的方法为

制造精制碳纳米管的方法，该方法包括：

准备一个碳纳米管的第一步骤；

通过用包含无定形碳的层被覆碳纳米管，从而获得碳纳米管复合体的第二步骤；以及

通过除去碳纳米管复合体中的包含无定形碳的层，从而获得精制碳纳米管的第三步骤。

附图说明

图1为示出了根据本公开的一个实施方案的碳纳米管复合体的典型示例性构造的图。

图2为沿直线X-X截取的图1的碳纳米管复合体的截面图。

图3为示出了在本公开的一个实施方案中使用的碳纳米管的拉曼光谱的图。

图4为示出了根据本公开的一个实施方案的碳纳米管复合体和精制碳纳米管的拉曼光谱的图。

图5为示出了碳纳米管制造装置的实例的图。

图6为示出了在本公开的一个实施方案中使用的碳纳米管的实例的图。

具体实施方式

[本公开要解决的问题]