[发明专利]基板支承体及基板处理装置在审
申请号: | 201980057784.2 | 申请日: | 2019-09-03 |
公开(公告)号: | CN112640060A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 永山晃;佐佐木康晴;富冈武敏;山口伸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/683;H02N13/00;H05H1/46 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 吕琳;朴秀玉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支承 处理 装置 | ||
提供一种基板支承体,其包括:基台;静电吸盘,用于放置基板;电极,设置于所述静电吸盘;所述电极的接点部;粘接层,在所述基台上将所述静电吸盘与所述基台粘接,并且不覆盖所述接点部;以及供电端子,以不被固定于所述电极的接点部的方式与所述电极的接点部接触。
技术领域
本公开涉及一种基板支承体及基板处理装置。
背景技术
例如,专利文献1在用于放置被处理体的载置台上具有针对用于对被处理体进行静电吸附的电极的供电端子。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:(日本)特开2016-27601号公报
发明内容
本发明要解决的问题
本公开提供一种稳定地向电极进行供电的结构。
用于解决问题的手段
根据本公开的一个实施方式,提供一种基板支承体,包括:基台;静电吸盘,用于放置基板;电极,设置于所述静电吸盘;所述电极的接点部;粘接层,在所述基台上将所述静电吸盘与所述基台粘接,并且不覆盖所述接点部;以及供电端子,以不被固定于所述电极的接点部的方式与所述电极的接点部接触。
发明的效果
根据一个方面,能够提供一种稳定地向电极进行供电的结构。
附图说明
图1是示出根据一个实施方式的基板处理装置的一个示例的图。
图2是示出根据一个实施方式和比较例的基板支承体中的供电端子的结构的一个示例的图。
图3是示出根据一个实施方式的供电端子的脱落防止结构的一个示例的图。
图4是示出根据一个实施方式的供电端子的接点部的一个示例的图。
图5是示出根据一个实施方式的供电端子的弹簧结构或接触部件的一个示例的图。
图6是示出根据一个实施方式的贯穿基板支承体的插座的一个示例的图。
具体实施方式
以下,参照附图对本公开的实施方式进行说明。需要说明的是,在本说明书及附图中,针对实质上相同的构成部分赋予相同的符号以省略重复的说明。
[基板处理装置的构成]
首先,参照图1对根据本公开的一个实施方式的基板处理装置10的构成的一个示例进行说明。在本实施方式中,作为基板处理装置10的一个示例,举出了平行平板的电容耦合式等离子体处理装置。但是,基板处理装置10不限于等离子体处理装置,也可以是未使用等离子体的利用热量的处理装置或利用光的处理装置等。
基板处理装置10具有被气密地构成,并且在电连接上被设为接地电位的处理容器1。该处理容器1为圆筒状,并且由例如铝等构成。处理容器1对用于生成等离子体的处理空间进行界定。在处理容器1内,容纳有以大致水平的方式对作为基板(工件:work-piece)的一个示例的晶圆W进行支承的基板支承体2。根据一个实施方式的基板支承体2具有基台3、用于放置晶圆W的静电吸盘6、以及支承部7。基台3为大致圆柱状,并且由例如铝等导电性的金属构成。基台3起到下部电极的功能。基台3被绝缘体的支承台4支承,并且将支承台4设置在处理容器1的底部。基台3例如经由螺丝从背面侧被固定在支承台4上。静电吸盘6在俯视观察时被设置在基板支承体2的中央,并且具有用于对晶圆W进行静电吸附的功能。
静电吸盘6具有吸盘电极6a和绝缘体6b。吸盘电极6a设置在绝缘体6b的内部,并且在吸盘电极6a上连接有直流电源12。吸盘电极6a经由后述的供电端子与直流电源12连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造