[发明专利]基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法在审
申请号: | 201980058138.8 | 申请日: | 2019-09-06 |
公开(公告)号: | CN112655073A | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 桥本光治;清水进二;堀口博司;山本真弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/304 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;宋晓宝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 系统 以及 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其中,
具有:
一个以上的处理单元,对基板进行处理;以及
一个以上的运算处理部,通过使多个处理规程中的两个以上的处理规程组合,制作用以规定关于基板的一连串的处理的流程的流程规程,多个所述处理规程用以分别规定与在一个以上的所述处理单元中对基板实施的处理相关的处理的条件;
多个所述处理规程包括分别既定使用处理液对基板实施的处理的条件的多个液体处理规程。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具有传感器部,该传感器部获取关于一个以上的所述处理单元中的基板处理的状况的指标的信号;
多个所述处理规程包括多个计测处理规程,多个所述计测处理规程分别规定用以获取关于一个以上的所述处理单元中的基板处理的状况的指标的信号的所述传感器部的计测处理的条件;
一个以上的所述运算处理部通过使多个所述液体处理规程中的一个以上的液体处理规程和多个所述计测处理规程中的一个以上的计测处理规程组合,制作所述流程规程。
3.如权利要求2所述的基板处理装置,其中,
一个以上的所述运算处理部通过将多个修正式中的至少一个修正式组合至两个以上的所述处理规程中的至少一个处理规程,来制作所述流程规程,多个所述修正式用以基于由所述传感器部所获取的指标的信号来修正多个所述处理规程中的至少一部分条件;
一个以上的所述运算处理部根据由所述传感器部所获取的指标的信号,由至少一个所述修正式计算一个以上的修正系数,并使用一个以上的所述修正系数来修正由至少一个所述处理规程所规定的条件。
4.如权利要求2或3所述的基板处理装置,其中,
所述传感器部获取用以表示基板的状态的一种以上的指标的信号;
多个所述处理规程包括第1处理规程以及第2处理规程;
多个所述计测处理规程包括第1计测处理规程,所述第1计测处理规程既定用以获取一种以上的所述指标的信号的所述传感器部的计测处理的条件;
一个以上的所述运算处理部通过使所述第1计测处理规程和用于使处理的流程分支的多个分支处理规程中的用以规定分支处理的条件的一个分支处理规程组合,并将所述第1处理规程作为第1分支后处理流程的处理规程组合至所述一个分支处理规程,并且将所述第2处理规程作为第2分支后处理流程的处理规程组合至所述一个分支处理规程,来制作所述流程规程,在所述一个分支处理中,若一种以上的所述指标满足第1条件,则执行所述第1分支后处理流程,若一种以上的所述指标满足第2条件,则执行所述第2分支后处理流程。
5.如权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,其中,
多个所述液体处理规程包括既定如下的处理的流程以及条件的一个以上的结构化液体处理规程:在对基板实施使用了第1处理液的处理时若处于第1状态,则在对所述基板实施使用了所述第1处理液的处理后实施使用了第2处理液的处理,并且,响应在对基板实施使用了所述第1处理液的处理时变成第2状态的情况,对所述基板实施使用了第3处理液的处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造