[发明专利]光测量装置在审
| 申请号： | 201980059026.4 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN112703586A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 中村共则 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/17 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测量 装置 | ||
1.一种光测量装置，其特征在于：
具备：
第一光源，其生成包含第一波长的测量光；
第二光源，其生成包含比所述第一波长短的第二波长的刺激光；
作为WDM光耦合器的光耦合部，其包含在输出端与第一输入端和第二输入端之间分叉设置的光纤，所述第一输入端与所述第一光源的输出光学耦合，所述第二输入端与所述第二光源的输出光学耦合，将所述测量光与所述刺激光合波而生成合波光，将所述合波光从所述输出端输出；
光检测器，其检测来自测定对象物的反射光或透射光的强度并输出检测信号；
光学系统，其将所述合波光向所述测定对象物上的测定点导光，将来自所述测定点的反射光或透射光向所述光检测器导光；和
扫描部，其使所述测定点移动，
所述光纤至少对所述第一波长具有以单模传输光的性质。
2.如权利要求1所述的光测量装置，其特征在于：
所述光纤对所述第二波长也具有以单模传输光的性质。
3.如权利要求1或2所述的光测量装置，其特征在于：
所述光纤是偏振保持光纤。
4.如权利要求1～3中的任一项所述的光测量装置，其特征在于：
所述第二波长是与比构成所述测定对象物的半导体的带隙能量高的能量对应的波长。
5.如权利要求1～3中的任一项所述的光测量装置，其特征在于：
所述第二波长是与比构成所述测定对象物的半导体的带隙能量低的能量对应的波长。
6.如权利要求1～5中的任一项所述的光测量装置，其特征在于：
还具备调制部，其以包含规定频率的调制信号对所述刺激光进行强度调制。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
