[发明专利]光测量装置在审
申请号: | 201980059026.4 | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN112703586A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 中村共则 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/17 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 测量 装置 | ||
本发明的实施方式具备:光源(9a),其生成包含第一波长的测量光;光源(9b),其生成包含第二波长的刺激光;作为WDM光耦合器的光耦合部(11),其包含在输出端(11a2)与输入端(11a1、11b1)之间分叉设置的光纤(11a、11b),输入端(11a1)与光源(9a)的输出光学耦合,输入端(11b1)与光源(9b)的输出光学耦合,将测量光与刺激光合波而生成合波光,将合波光从输出端(11a2)输出;光检测器(29),其检测来自DUT(10)的反射光的强度;光照射/导光系统(5),其将合波光向DUT(10)上的测定点(10a)导光,将来自测定点(10a)的反射光向光检测器(29)导光;和电流镜(19),其使测定点移动,光纤(11a、11b)对第一波长以单模传输光。
技术领域
本发明涉及一种评估测定对象物的光测量装置。
背景技术
历来,已知有使用共焦点光学系统将测量光和刺激光同轴地向测定对象物照射,利用测量光的反射光导出测定对象物的热物理特性值的检查装置(例如,参照下述专利文献1)。该检查装置具有使用半透半反镜,将测量光与刺激光合成向测定对象物照射的结构。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2006-308513号公报
发明内容
发明所要解决的问题
在上述那样的现有的检查装置中,存在在将波长相互不同的测量光与刺激光在同轴上合波时半透半反镜等的光学系统的调节困难的倾向。此外,还存在由于长时间的使用而在光学系统中产生偏离,在测量光与刺激光之间产生光轴的偏离的情况。其结果是,存在在向测定对象物照射的测量光与刺激光之间产生测定对象物上的照射位置的偏离,测定对象物的评估的精度下降的倾向。
实施方式是鉴于该问题而完成的,其目的在于提供一种能够减少测定对象物上的测量光和刺激光的照射位置的偏离,提高测定对象物的评估的精度的光测量装置。
用于解决问题的方式
本发明的一个方式为一种光测量装置,其特征在于:具备:第一光源,其生成包含第一波长的测量光;第二光源,其生成包含比第一波长短的第二波长的刺激光;作为WDM光耦合器的光耦合部,其包含在输出端与第一输入端和第二输入端之间分叉设置的光纤,第一输入端与第一光源的输出光学耦合,第二输入端与第二光源的输出光学耦合,将测量光与刺激光合波而生成合波光,将合波光从输出端输出;光检测器,其检测来自测定对象物的反射光或透射光的强度并输出检测信号;光学系统,其将合波光向测定对象物上的测定点导光,将来自测定点的反射光或透射光向光检测器导光;和扫描部,其使测定点移动,光纤至少对第一波长具有以单模传输光的性质。
根据上述一个方式,包含第一波长的测量光与包含比第一波长短的第二波长的刺激光通过光耦合部合波而向测定对象物上的测定点照射,检测来自测定对象物上的测定点的反射光或透射光的强度。此外,测定对象物上的测定点通过扫描部移动。该光耦合部由包含光纤的WDM光耦合器构成,由于该光纤具有以单模使测量光传输的性质,因此测量光的光斑稳定,能够减少合波光中的作为波长相互不同的光的测量光与刺激光之间的光轴的偏离。其结果是,能够减少测定对象物上的测定点的测量光和刺激光的照射位置的偏离,能够减提高测定对象物的评估的精度。
发明的效果
根据实施方式,能够减少测定对象物上的测量光和刺激光的照射位置的偏离,提高测定对象物的评估的精度。
附图说明
图1是实施方式所涉及的光测量装置1的概略结构图。
图2是表示图1的光耦合部11的结构的图。
图3是表示图1的控制器37的功能结构的框图。
图4是表示光测量装置1的输出图像的一个例子的图。
图5是表示比较例的输出图像的一个例子的图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浜松光子学株式会社,未经浜松光子学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980059026.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:盘式制动器的制动钳和盘式制动器
- 下一篇:栓塞装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造