[发明专利]掩模基底、转印用掩模以及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201980059055.0 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN112673314A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 石田宏之;相泽毅 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/50 | 分类号： | G03F1/50;G03F1/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 谢辰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基底 转印用掩模 以及 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种掩模基底，其在透光性基板的主表面上具备转印图案形成用的薄膜，所述掩模基底的特征在于，
在所述透光性基板的所述主表面上存在缺陷，
所述缺陷在将从所述主表面侧观察时的宽度设为w、从所述主表面到垂直方向上的所述缺陷的前端为止的长度设为L时，满足以下关系：
L≤97.9×w-0.4。
2.如权利要求1所述的掩模基底，其特征在于，所述缺陷的所述长度L为13nm以下。
3.如权利要求1或2所述的掩模基底，其特征在于，所述缺陷的所述宽度w为200nm以下。
4.如权利要求1至3中任一项所述的掩模基底，其特征在于，在所述薄膜上形成有转印图案的区域内的所述透光性基板的主表面上存在所述缺陷。
5.如权利要求1至4中任一项所述的掩模基底，其特征在于，所述缺陷含有硅和氧。
6.如权利要求1至5中任一项所述的掩模基底，其特征在于，所述薄膜具有使ArF准分子激光的曝光光以2％以上的透过率透过的功能、和使透过了所述薄膜的所述曝光光与以与所述薄膜的厚度相同的距离在空气中穿过的所述曝光光之间产生150度以上且200度以下的相位差的功能。
7.一种转印用掩模，其在透光性基板的主表面上具备形成有转印图案的薄膜，所述转印用掩模的特征在于，
在所述透光性基板的所述主表面上存在缺陷，
所述缺陷在将从所述主表面侧观察时的宽度设为w、从所述主表面到垂直方向上的所述缺陷的前端为止的长度设为L时，满足以下关系：
L≤97.9×w-0.4。
8.如权利要求7所述的转印用掩模，其特征在于，所述缺陷的所述长度L为13nm以下。
9.如权利要求7或8所述的转印用掩模，其特征在于，所述缺陷的所述宽度w为200nm以下。
10.如权利要求7至9中任一项所述的转印用掩模，其特征在于，在所述薄膜上形成有转印图案的区域内的所述透光性基板的主表面上存在所述缺陷。
11.如权利要求7至10中任一项所述的转印用掩模，其特征在于，所述缺陷含有硅和氧。
12.如权利要求7至11中任一项所述的转印用掩模，其特征在于，所述薄膜具有使ArF准分子激光的曝光光以2％以上的透过率透过的功能、和使透过了所述薄膜的所述曝光光与以与所述薄膜的厚度相同的距离在空气中穿过的所述曝光光之间产生150度以上且200度以下的相位差的功能。
13.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具备使用权利要求7至12中任一项所述的转印用掩模，将转印图案曝光转印到半导体基板上的抗蚀剂膜上的工序。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HOYA株式会社，未经HOYA株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980059055.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
