[发明专利]掩模基底、转印用掩模以及半导体器件的制造方法

说明书

提供一种掩模基底，即使在掩模基底的基板主表面上存在缺陷，该缺陷也不会对利用转印用掩模的转印像产生影响，能够作为合格品。一种掩模基底，其在透光性基板的主表面上具备转印图案形成用的薄膜，在所述透光性基板的主表面上存在缺陷，该缺陷在将从所述主表面侧观察时的宽度设为w、从所述主表面到垂直方向上的缺陷的前端为止的长度设为L时，满足L≤97.9×w^‑0.4的关系。

技术领域

本发明涉及掩模基底、转印用掩模以及半导体器件的制造方法。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，使用光刻法进行微细图案的形成。另外，该微细图案的形成使用转印用掩模。该转印用掩模一般在透光性的玻璃基板上设置由金属薄膜等构成的微细的转印图案。在该转印用掩模的制造中也使用光刻法。

近年来，伴随着半导体器件的图案的微细化，在转印用掩模上形成的掩模图案的微细化不断发展。通常，转印用掩模使用在基板上具备图案形成用的薄膜的掩模基底来制造。将转印用掩模设置在曝光装置的掩模台上，通过照射ArF受激准分子激光等曝光光，通过透过该转印用掩模的薄膜图案(转印图案)的曝光光，将图案转印到转印对象物(晶片上的抗蚀剂膜等)上。

通常，在转印用掩模的基板上存在缺陷的情况下，在使用该转印用掩模对晶片上的抗蚀剂膜进行曝光转印时，发生该缺陷的图像转印到该抗蚀剂膜上的现象。因此，在由掩模基底制造了转印用掩模之后，进行由掩模缺陷检查装置进行的掩模缺陷检查。另一方面，以往，在作为制造转印用掩模的原版的掩模基底中，特别是在形成转印图案的区域中，希望在基板上没有缺陷。因此，以往，在掩模基底中，例如也进行在掩模基底的制造过程中产生的缺陷的检查(参照专利文献1等)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：(日本)特开2010-175660号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，近年来，对掩模基底进行缺陷检查的缺陷检查装置的性能大大提高，能够检测出以往无法检测的大小的缺陷。因此，与以往相比，在缺陷检查时检测出缺陷的掩模基底的比率变高。在掩模基底的制造中的缺陷检查工序中，如果仅选定基板上没有缺陷的掩模基底，则存在制造成品率大幅度降低的问题。

本发明人等提出了如下假设：即使在转印用掩模的基板上(基板的主表面)存在缺陷，根据该缺陷的条件，有时也不会在掩模缺陷检查中检测出缺陷。另外，提出了如下假设：即使在该基板上存在缺陷，根据该缺陷的条件，有时也不会产生对转印像的影响的问题。或者，提出了如下假设：有时该影响小到可以落在容许范围内。本发明人等进一步对这些假设进行了验证，得到了一定的见解。

本发明的目的在于，第一，提供一种掩模基底，即使在掩模基底的基板主表面上存在缺陷，该缺陷也不会对利用转印用掩模的转印像产生影响，能够作为合格品。

本发明的目的在于，第二，提供一种转印用掩模，即使在转印用掩模的基板主表面上存在缺陷，该缺陷也不会对利用转印用掩模的转印像产生影响，能够作为合格品。

本发明的目的在于，第三，提供一种使用该转印用掩模形成微细图案的高品质的半导体装置的制造方法。

用于解决课题的技术方案

本发明人等为了解决上述课题，尝试了以下的研究。