[发明专利]具有包括差异化p型和n型区域的混合架构的太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

第一电介质层，所述第一电介质层设置在基板的背面上；

第一半导体区，所述第一半导体区设置在所述第一电介质层上；

第二电介质层，所述第二电介质层设置在所述第一半导体区的部分上和所述基板的背面的部分上；

第二半导体区，所述第二半导体区设置在所述第二电介质层上，其中所述第二电介质层的一部分设置在所述第一半导体区和所述第二半导体区之间；

第三电介质层，所述第三电介质层设置在所述第二半导体区上；

第一导电触点，所述第一导电触点设置在所述第一半导体区上方但不设置在所述第三电介质层上方；以及

第二导电触点，所述第二导电触点设置在所述第三电介质层和所述第二半导体区上方，其中所述第二导电触点穿过所述第三电介质层设置。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第三电介质层包括掺杂物层。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中所述第二半导体区和所述掺杂物层的导电类型相同。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中所述掺杂物层包括N型掺杂物或P型掺杂物。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第三电介质层包括绝缘体层。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第三电介质层包括选自由氧化硅、氮氧化硅和氮化硅组成的组的电介质。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第二半导体区的一部分和所述第三电介质层的一部分设置在所述第一导电触点结构与所述第二导电触点结构之间。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第二半导体区的一部分和所述第三电介质层的一部分设置在所述第一半导体区上方。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，还包括绝缘区，所述绝缘区设置在所述第一半导体区上，其中所述第一导电触点穿过所述绝缘区设置。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第一导电触点和所述第二导电触点各自包括金属箔或导线。

11.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第二导电触点设置在所述第一半导体区和所述第二半导体区上方。

12.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第一半导体区和所述第二半导体区包括第一多晶硅发射极区和第二多晶硅发射极区。

13.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：

在基板的背面上形成第一电介质层；

在所述第一电介质层上形成第一半导体区；

在所述第一半导体区的部分上和所述基板的部分上形成第二电介质层；

在所述基板的背面上方形成硅层；

在所述硅层上形成第三电介质层；

将所述硅层和所述第三电介质层图案化以在所述第二电介质层上方形成第二半导体区；

在所述第一半导体区上方但不在所述第三电介质层上方形成第一导电触点；以及

在所述第三电介质层和所述第二半导体区上方形成第二导电触点。

14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述第三电介质层包括形成选自由氧化硅、氮氧化硅和氮化硅组成的组的电介质。

15.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述第三电介质层包括形成掺杂物层。

16.根据权利要求13所述的方法，还包括：

对所述基板的正面执行纹理化工艺。