[发明专利]具有包括差异化p型和n型区域的混合架构的太阳能电池在审
申请号: | 201980059206.2 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN112673482A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 大卫·D·史密斯 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/032;H01L31/0368;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张娜;顾丽波 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 包括 异化 区域 混合 架构 太阳能电池 | ||
本发明公开了一种太阳能电池以及制造所述太阳能电池的方法。所述太阳能电池可包括具有光接收表面和背表面的基板。所述太阳能电池可包括设置在第一电介质层上的第一导电类型的第一半导体区,其中所述第一电介质层设置在所述基板上。所述太阳能电池还可包括设置在第二电介质层上的第二不同导电类型的第二半导体区,其中所述第二薄电介质层的一部分设置在所述第一半导体区和所述第二半导体区之间。所述太阳能电池可包括设置在所述第二半导体区上的第三电介质层。所述太阳能电池可包括设置在所述第一半导体区上方但不设置在所述第三电介质层上方的第一导电触点。所述太阳能电池可包括设置在所述第二半导体区上方的第二导电触点,其中所述第二导电触点设置在所述第三电介质层和所述第二半导体区上方。在某个实施例中,所述第三电介质层可为掺杂物层。
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年9月27日提交的美国非临时申请No.16/586,509的优先权,其要求2018年9月28日提交的美国临时申请No.62/739,077的权益,其全部内容据此以引用方式并入本文。
背景技术
光伏(PV)电池(常称为太阳能电池)是用于将太阳辐射转化为电能的装置。一般来讲,照射在太阳能电池基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板主体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的p型掺杂区和n型掺杂区,从而在掺杂区之间形成电压差。将掺杂区连接至太阳能电池上的导电区,以将电流从电池引导至外部电路。当将PV电池组合在诸如PV模块的阵列中时,从所有的PV电池收集的电能可以按串联和并联布置加以组合,以提供具有某一电压和电流的电源。
附图说明
图1示出了根据一些实施例的太阳能电池的一部分的剖视图。
图2为根据一些实施例的流程图,该流程图列出制造太阳能电池的方法中的操作。
图3为根据一些实施例的流程图,该流程图列出形成太阳能电池的第一半导体区中的操作。
图4为根据一些实施例的流程图,该流程图列出形成太阳能电池的第二半导体区中的操作。
图5为根据一些实施例的流程图,该流程图列出形成用于太阳能电池的导电触点结构中的操作。
图6-16示出了根据一些实施例的太阳能电池的制造中各个阶段的剖视图。
具体实施方式
效率是太阳能电池的重要特性,因其直接与太阳能电池的发电能力有关。同样,生产太阳能电池的效率直接与此类太阳能电池的成本效益有关。因此,提高太阳能电池效率的技术或提高制造太阳能电池效率的技术是普遍需要的。本公开的一些实施例允许通过提供制造太阳能电池结构的新工艺而提高太阳能电池的制造效率。本公开的一些实施例允许通过提供新型太阳能电池结构来提高太阳能电池效率。
以下具体实施方式在本质上只是说明性的,而并非意图限制本申请的主题的实施例或此类实施例的用途。如本文所用,词语“示例性”意指“用作实例、例子或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施方式未必理解为相比其他实施方式是优选的或有利的。此外,并不意图受前述技术领域、背景技术、发明内容或以下具体实施方式中提出的任何明示或暗示的理论的约束。
本说明书包含对“一个实施例”或“某个实施例”的参考。短语“在一个实施例中”或“在某个实施例中”的出现不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。
术语。以下段落提供存在于本公开(包含所附权利要求书)中术语的定义和/或语境:
“包括”。该术语是开放式的。如在所附权利要求书中所用,该术语并不排除其他结构或步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太阳能公司,未经太阳能公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的