[发明专利]原位集成型腔室

权利要求书

1.一种计算机可读介质，包括被配置为致使系统执行以下步骤的指令：

将基板从传送腔室传送进预清洁处理腔室用于预清洁操作；

在所述预清洁处理腔室中执行所述预清洁操作；

在所述预清洁操作之后，将所述基板从所述预清洁处理腔室传送进源极/漏极外延沉积处理腔室；

在所述源极/漏极外延沉积处理腔室中在所述基板上形成源极和漏极；

在所述源极/漏极外延沉积处理腔室中形成所述源极和所述漏极之后，将所述基板从所述源极/漏极外延沉积处理腔室传送进膜形成处理腔室中，以在所述源极和所述漏极上形成金属硅化物或金属锗化物；

在所述膜形成处理腔室中在所述源极和所述漏极上形成所述金属硅化物或所述金属锗化物；

在形成所述源极和所述漏极之后，将所述基板从所述膜形成处理腔室传送进表面保护处理腔室；和

在所述表面保护处理腔室中执行表面保护操作。

2.如权利要求1所述的计算机可读介质，其中所述指令进一步被配置为在将所述基板传送至所述膜形成处理腔室之前在所述源极/漏极外延沉积处理腔室中执行预硅化物处理。

3.如权利要求1所述的计算机可读介质，其中执行所述预清洁操作的步骤包括以下步骤：

从所述基板移除自然氧化物或残余碳中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的计算机可读介质，其中：

在所述基板上形成所述源极和所述漏极的步骤包括以下步骤的一个或多个：形成N型源极和N型漏极，或者形成P型源极和P型漏极；和

执行所述表面保护操作的步骤包括以下步骤的一个或多个：在所述源极和所述漏极上形成覆盖层，或者氮化所述源极和所述漏极。

5.如权利要求1所述的计算机可读介质，其中所述指令进一步被配置为指示一个或多个传感器以测量所述传送腔室中的一种或多种污染物和/或所述基板的一个或多个性质。

6.一种处理基板的方法，包括以下步骤：

使用设置在传送腔室的传送空间中的中央传送机器人，将基板传送进多个处理腔室中的第一处理腔室中，所述第一处理腔室被配置为执行至少一个预清洁操作；

在所述第一处理腔室中执行所述至少一个预清洁操作；

在所述至少一个预清洁操作之后，从所述第一处理腔室传送所述基板穿过所述传送腔室的所述传送空间，并进入所述多个处理腔室的第二处理腔室中，所述第二处理腔室被配置为在所述基板上形成源极和漏极；

在所述多个处理腔室中的所述第二处理腔室中在所述基板上形成所述源极和所述漏极；

在形成所述源极和所述漏极之后，从所述第二处理腔室传送所述基板穿过所述传送腔室的所述传送空间，并进入所述多个处理腔室中的第三处理腔室，所述第三处理腔室被配置为在所述源极和所述漏极上形成膜；

在所述第三处理腔室中在所述源极和所述漏极上形成所述膜；

在形成所述源极和所述漏极之后，从所述第三处理腔室传送所述基板穿过所述传送腔室的所述传送空间，并进入所述多个处理腔室中的第四处理腔室，所述第四处理腔室被配置为在所述源极和所述漏极上形成保护膜；和

在所述第四处理腔室中在所述源极和所述漏极上形成所述保护膜。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述膜包括金属硅化物或金属锗化物。

8.如权利要求6所述的方法，进一步包括以下步骤：使用设置在所述传送腔室的所述传送空间中的一个或多个传感器，测量所述传送空间中的一种或多种污染物和/或所述基板的一个或多个性质。

9.如权利要求6所述的方法，其中执行所述至少一个预清洁操作的步骤包括以下步骤：

从所述基板移除自然氧化物或残余碳中的一种或多种。