[发明专利]原位集成型腔室

说明书

本文论述的系统及方法用于群集工具，群集工具可用于MOSFET装置制造，MOSFET装置包括NMOS及PMOS装置。群集工具包括处理腔室，用于预清洁、金属硅化物或金属锗化物膜形成、及表面保护操作，如覆盖和氮化作用。群集工具可包括被配置为形成源极和漏极的一个或多个处理腔室。将在群集工具中制造的装置制造成具有至少一个保护层，此至少一个保护层形成于金属硅化物或金属锗化物膜上方以在处理期间保护膜免受污染并且传送至分隔系统。

技术领域

本公开内容的各方面一般涉及场效应晶体管(field-effect transistor；FET)的制造。

背景技术

场效应晶体管为晶体管族，其依赖栅极上电压产生的电场，以便控制漏极与源极之间的电流。众多种FET中的一种为金属氧化物半导体FET(metal-oxide semiconductorFET；MOSFET)。MOSFET装置的制造包括多个沉积及图案化操作，其经执行以形成及电连接和/或绝缘装置的各种特征。至少一个硅化物层通常在MOSET制造处理期间形成。根据在MOSFET制造中涉及的众多处理操作，硅化物层(可为包括多晶(“聚”)金属硅化物的金属硅化物)的成核可能是个挑战。通常硅化物层形成并不与晶体管源极及漏极膜形成原位集成。在晶体管源极/漏极外延膜形成之后，在以下晶体管栅极形成期间用硬掩模(如氮化物膜)保护源极/接触区域。在栅极形成之后，通过蚀刻掉硬掩模来打开源极/漏极顶部接触区域，以供在源极及漏极接触区域顶上的硅化物膜形成。对硬掩模移除的蚀刻处理还可蚀刻掉顶上的源极/漏极膜的一些量并损害接触面，其不利于满足低接触电阻要求。在没有表面处理(如氮化作用)或用其他膜(如氮化钛、氮化硅)覆盖的情况下，生长的金属氮化物层在空气中轻易氧化。源极/漏极膜形成、硅化物层形成及表面保护的原位处理及硬件集成将促进最小化或减小源极/漏极顶层与硅化物层之间的晶体管接触电阻。

因而，本领域中仍然需要MOSFET制造的改进系统及方法。

发明内容

在一个实施方式中，计算机可读介质包括被配置为致使系统执行以下步骤的指令：将基板从传送腔室传送进预清洁处理腔室以进行预清洁操作，及在预清洁处理腔室中执行预清洁操作。在预清洁操作之后，指令被配置为将基板从预清洁处理腔室传送进源极/漏极外延沉积处理腔室，并在源极/漏极外延沉积处理腔室中在基板上形成源极和漏极。在源极/漏极外延沉积处理腔室中形成源极和漏极之后，指令被配置为将基板从源极/漏极外延沉积处理腔室传送进膜形成处理腔室中以在源极和漏极上形成金属硅化物膜或金属锗化物，并在膜形成处理腔室中在源极和漏极上形成金属硅化物膜或金属锗化物。在形成源极和漏极之后，指令被配置为将基板从膜形成处理腔室传送进表面保护处理腔室中；并在表面保护处理腔室中执行表面保护操作。

在一个实施方式中，处理基板的方法包括以下步骤：使用设置在传送腔室的传送空间中的中央传送机器人，将基板传送进多个处理腔室中的第一处理腔室，此第一处理腔室被配置为执行至少一个预清洁操作；在第一处理腔室中执行至少一个预清洁操作；在至少一个预清洁操作之后，传送基板从第一处理腔室穿过传送腔室的传送空间，并进入多个处理腔室中的第二处理腔室，此第二处理腔室被配置为在基板上形成源极和漏极；和在多个处理腔室中的第二处理腔室中在基板上形成源极和漏极。方法还包括以下步骤：在形成源极和漏极之后，从第二处理腔室传送基板穿过传送腔室的传送空间，并进入多个处理腔室中的第三处理腔室，此第三处理腔室被配置为在源极和漏极上形成膜；及在第三处理腔室中在源极和漏极上形成膜。方法还包括以下步骤：在形成源极和漏极之后，从第三处理腔室传送基板穿过传送腔室的传送空间，并进入多个处理腔室中的第四处理腔室，此第四处理腔室被配置为在源极和漏极上形成保护膜；和在第四处理腔室中在源极和漏极上形成保护膜。