[发明专利]基片处理装置和基片处理方法

权利要求书

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

能够将基片以水平姿态保持的旋转台；

使所述旋转台绕铅直轴线旋转的旋转驱动机构；

电加热器，其以与所述旋转台一起旋转的方式设置于所述旋转台，对载置于所述旋转台上的所述基片进行加热；

受电电极，其以与所述旋转台一起旋转的方式设置于所述旋转台，且与所述电加热器电连接；

供电电极，其通过与所述受电电极接触，来经由所述受电电极对所述电加热器供给驱动电功率；

电极移动机构，其能够使所述供电电极与所述受电电极相对地接触和分离；

对所述供电电极供给所述驱动电功率的供电部；

包围所述旋转台的周围且与排气配管和排液配管连接的处理杯状体；

对所述基片供给处理液的至少1个处理液喷嘴；

作为所述处理液至少将非电解镀覆液供给至所述处理液喷嘴的处理液供给机构；和

控制所述电极移动机构、所述供电部、所述旋转驱动机构和所述处理液供给机构的控制部。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述旋转台具有吸附板，所述基片通过被吸附于所述吸附板的上表面而被所述旋转台保持，所述电加热器从所述吸附板的下表面侧经由所述吸附板加热被吸附于所述吸附板的上表面的所述基片。

3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

从所述铅直轴线的方向观察的所述旋转台的面积大于或等于所述基片的面积。

4.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

还包括在所述旋转台的旋转轴内通过并延伸的吸引配管，所述旋转台具有基底板，在所述基底板的上表面设置有与所述吸引配管连通的吸引口，在将所述吸附板载置于所述基底板的上表面的状态下，通过经由所述吸引口作用吸引力而将所述吸附板吸附于所述基底板，并且，所述吸引力经由贯通所述吸附板的贯通孔也作用于所述基片，将所述基片吸附于所述吸附板。

5.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述旋转台具有包围所述基片的周缘部的堰堤，在所述基片被保持于所述旋转台上时通过对所述基片供给所述非电解镀覆液，所述非电解镀覆液被所述堰堤阻挡，从而能够在所述旋转台上形成可浸渍所述基片的整个上表面的所述非电解镀覆液的液洼，所述堰堤以随着向所述旋转台的半径方向内侧去而变低的方式带有倾斜。

6.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

能够在保持所述受电电极与所述供电电极相接触的状态下使所述旋转台在规定的角度范围内旋转。

7.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

还具有处理液温度调节机构，其在所述非电解镀覆液从所述处理液喷嘴被供给到所述基片之前，对所述非电解镀覆液进行温度调节。

8.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述电加热器具有分别负责所述基片的不同区域的加热的多个加热元件，所述控制部能够经由所述供电部独立地控制所述多个加热元件的发热量。

9.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述处理液供给机构能够对所述至少1个处理液喷嘴供给预清洁液、后清洁液和冲洗液。

10.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

还包括：收纳所述旋转台和所述处理杯状体的壳体；和对所述壳体内供给非活泼性气体的非活泼性气体供给部。

11.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

还包括覆盖被保持于所述旋转台的基片的顶板。

12.如权利要求11所述的基片处理装置，其特征在于：

所述顶板具有加热器，用所述加热器至少能够加热所述顶板的下表面。