[发明专利]基片处理装置和基片处理方法

说明书

本发明提供一种基片处理装置，其包括：将保持基片的旋转台旋转驱动的机构；电加热器，其以与旋转台一起旋转的方式设置于旋转台，对载置于旋转台上的基片进行加热；受电电极，其以与旋转台一起旋转的方式设置于旋转台，且与电加热器电连接；供电电极，其通过与受电电极接触，来经由受电电极对电加热器供给驱动电功率；电极移动机构，其能够使供电电极与受电电极相对地接触和分离；对供电电极供给驱动电功率的供电部；包围旋转台的周围的处理杯状体；对基片供给处理液的至少1个处理液喷嘴；作为处理液至少将非电解镀覆液供给至处理液喷嘴的处理液供给机构；和控制电极移动机构、供电部、旋转驱动机构和处理液供给机构的控制部。

技术领域

本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。

背景技术

在半导体器件的制造中，对半导体晶片等的基片执行药液清洗处理、镀覆处理、显影处理等的各种液处理。作为进行这样的液处理的装置，有单片式的液处理装置，其一个例子记载在专利文献1中。

专利文献1的基片处理装置具有旋转卡盘，其能够将基片以水平姿态保持并使其绕铅直轴线旋转。在旋转卡盘的周缘部，在圆周方向上隔开间隔地设置的多个保持部件保持基片。在被旋转卡盘保持的基片的上方和下方分别设置有内置了加热器的圆板状的上表面移动部件和下表面移动部件。在专利文献1的基片处理装置中，按以下的步骤进行处理。

首先，利用旋转卡盘保持基片，使下表面移动部件上升从而在基片的下表面(背面)与下表面移动部件的上表面之间形成小的第一间隙。接着，从在下表面移动部件的上表面的中心部开口的下表面供给通路向第一间隙供给已调温的药液，第一间隙由表面处理用的药液填充。药液由下表面移动部件的加热器调温为规定的温度。另一方面，上表面供给喷嘴位于基片的上表面(正面)的上方，供给表面处理用的药液，并且在基片的上表面形成药液的液洼。接着，上表面供给喷嘴从基片的上方退避，上表面移动部件下降，在上表面移动部件的下表面与药液的液洼的正面(上表面)之间形成小的第二间隙。药液的液洼通过内置于上表面移动部件中的加热器被温度调节到规定的温度。在该状态下，使基片以低速旋转或者使基片不旋转地进行基片的正面和背面的药液处理步骤。在药液处理步骤的期间，根据需要从在上表面移动部件的中心部开口的药液供给通路和上述的下表面供给通路，对基片的正面和背面补充药液。

在专利文献1的基片处理装置中，基片经由存在于基片与加热器之间的流体(处理液和/或者气体)被加热。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-219424号公报。

发明内容

发明要解决的问题

本发明提供在将基片保持于旋转台的状态下进行基片的镀覆处理的基片处理中，能够提高基片温度的控制精度的技术。

用于解决问题的技术手段

基于本发明的一个方式的基片处理装置，其包括：能够将基片以水平姿态保持的旋转台；使所述旋转台绕铅直轴线旋转的旋转驱动机构；电加热器，其以与所述旋转台一起旋转的方式设置于所述旋转台，对载置于所述旋转台上的所述基片进行加热；受电电极，其以与所述旋转台一起旋转的方式设置于所述旋转台，且与所述电加热器电连接；供电电极，其通过与所述受电电极接触，来经由所述受电电极对所述电加热器供给驱动电功率；电极移动机构，其能够使所述供电电极与所述受电电极相对地接触和分离；对所述供电电极供给所述驱动电功率的供电部；包围所述旋转台的周围且与排气配管和排液配管连接的处理杯状体；对所述基片供给处理液的至少1个处理液喷嘴；作为所述处理液至少将非电解镀覆液供给至所述处理液喷嘴的处理液供给机构；和控制所述电极移动机构、所述供电部、所述旋转驱动机构和所述处理液供给机构的控制部。

发明效果

依据本发明，能够在将基片保持于旋转台的状态下进行基片的镀覆处理的基片处理中，提高基片温度的控制精度的技术。

附图说明