[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质在审
申请号: | 201980061353.3 | 申请日: | 2019-09-09 |
公开(公告)号: | CN112740393A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 冈崎太洋;高桥哲 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;B25J13/00;H01L21/26 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 以及 记录 介质 | ||
1.衬底处理装置,具有:
衬底搬送装置,其以通过分别驱动第1衬底搬送臂和第2衬底搬送臂从而搬送衬底的方式构成;
搬送室,在所述搬送室的内部配置有衬底冷却单元以及所述衬底搬送装置,所述衬底冷却单元以对所述衬底进行冷却的方式构成;
至少1个衬底处理室,所述衬底处理室以与所述搬送室相邻的方式配置,并构成为进行对所述衬底进行加热的处理;
加载互锁室,其以与所述搬送室相邻的方式配置;以及
控制部,其对所述衬底搬送装置进行控制,
所述控制部构成为,
对所述第1衬底搬送臂进行控制,使其执行将所述加载互锁室内的所述衬底向所述衬底处理室内搬送的第1搬送处理、和将载置到所述衬底冷却单元的所述衬底向所述加载互锁室内搬送的第3搬送处理,
对所述第2衬底搬送臂进行控制,使其执行将所述衬底处理室内的所述衬底向所述衬底冷却单元搬送并载置于所述衬底冷却单元的第2搬送处理,
对所述第1衬底搬送臂以及所述第2衬底搬送臂进行控制,使得在所述第1搬送处理和所述第3搬送处理中施加于所述衬底的加速度的最大值比在所述第2搬送处理中施加于所述衬底的加速度的最大值大。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,
所述控制部构成为,
对所述衬底搬送装置进行控制,以使得用所述第1衬底搬送臂仅搬送第1温度以下的所述衬底,用所述第2衬底搬送臂仅搬送温度超过所述第1温度的所述衬底。
3.根据权利要求2所述的衬底处理装置,其中,
所述第1衬底搬送臂具备以对所述衬底的下表面进行支承的方式构成的第1衬底保持用具,
所述第2衬底搬送臂具备以对所述衬底的下表面进行支承的方式构成的第2衬底保持用具,
所述第1衬底保持用具具有:
第1板状体,其配置于所述衬底之下;和
第1支承部,其由配置于所述第1板状体的上表面上的多个凸部构成,并构成为对所述衬底的下表面进行支承,
所述第2衬底保持用具具有:
第2板状体,其配置于所述衬底之下;和
第2支承部,其由配置于所述第2板状体的上表面上的多个凸部构成,并构成为对所述衬底的下表面进行支承,
所述第1支承部由摩擦系数比构成所述第2支承部的材料的摩擦系数大的材料构成。
4.根据权利要求3所述的衬底处理装置,其中,
所述第1支承部由橡胶材料构成。
5.根据权利要求4所述的衬底处理装置,其中,
所述第2支承部由陶瓷材料或碳化硅构成。
6.根据权利要求3所述的衬底处理装置,其中,
构成所述第1支承部的材料的耐热温度比构成所述第2支承部的材料的耐热温度低。
7.根据权利要求3所述的衬底处理装置,其中,
所述第1温度为构成所述第1支承部的材料的耐热温度。
8.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,
所述衬底冷却单元具有:
衬底冷却板;和
衬底保持部,其以在所述衬底冷却板的上方或下方对所述衬底进行保持的方式构成,
所述第2衬底搬送臂具有以对所述衬底的下表面进行支承的方式构成的第2衬底保持用具,
所述控制部构成为:
对所述第2衬底搬送臂进行控制,以使得在所述第2搬送处理中,在由所述衬底保持部在所述衬底冷却板的上方或下方保持所述衬底之后,所述第2衬底保持用具在所述衬底冷却板的上方或下方停止规定时间。
9.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,
所述衬底处理室设有多个,
所述控制部构成为:
对所述第1衬底搬送臂以及所述第2衬底搬送臂进行控制,以使得不执行从多个所述衬底处理室中的一个所述衬底处理室向其他所述衬底处理室搬送所述衬底的动作。
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