[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质

说明书

衬底处理装置的控制部对第1衬底搬送臂进行控制，使其执行将加载互锁室内的衬底向衬底处理室内搬送的第1搬送处理、和将在设置于搬送室内的衬底冷却单元载置的衬底向加载互锁室内搬送的第3搬送处理，对第2衬底搬送臂进行控制，使其执行将衬底处理室内的衬底向衬底冷却单元搬送并载置于衬底冷却单元的第2搬送处理，对第1衬底搬送臂以及第2衬底搬送臂进行控制，使得在第1搬送处理和第3搬送处理中施加于衬底的加速度的最大值比第2搬送处理中施加于衬底的加速度的最大值大。

技术领域

本公开内容涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。

背景技术

半导体器件的制造工序中所用的衬底处理装置具备对晶片等衬底进行处理的处理室、和进行向该处理室内的衬底搬入以及从该处理室内的衬底搬出的搬送装置。例如日本特开2012－82071号公报公开了搬送装置以及该搬送装置所具备的衬底保持用具(钳状件，tweezer)。

发明内容

发明所要解决的课题

利用搬送装置的衬底搬送能力(搬送吞吐量)对具备搬送装置的衬底处理装置整体的衬底处理能力影响巨大，因此要求利用搬送装置的衬底搬送能力的提高。

本公开内容提供一种提高衬底搬送装置的衬底搬送能力、改善衬底处理装置的处理能力的技术。

用于解决课题的手段

根据本公开内容的一个方案提供一种如下的技术:

一种衬底处理装置，具有：

衬底搬送装置，构成为通过分别驱动第1衬底搬送臂和第2衬底搬送臂从而搬送衬底；

搬送室，在内部配置有衬底冷却单元以及所述衬底搬送装置，所述衬底冷却单元以对所述衬底进行冷却的方式构成；

至少1个衬底处理室，以与所述搬送室相邻的方式配置，并构成为进行对所述衬底进行加热的处理；

加载互锁室，以与所述搬送室相邻的方式配置；以及

控制部，对所述衬底搬送装置进行控制，

所述控制部构成为，

对所述第1衬底搬送臂进行控制，使其执行将所述加载互锁室内的所述衬底向所述衬底处理室内搬送的第1搬送处理、和将载置(装填)到所述衬底冷却单元的所述衬底向所述加载互锁室内搬送的第3搬送处理，

对所述第2衬底搬送臂进行控制，使其执行将所述衬底处理室内的所述衬底向所述衬底冷却单元搬送并载置于所述衬底冷却单元的第2搬送处理，

对所述第1衬底搬送臂以及所述第2衬底搬送臂进行控制，使得在所述第1搬送处理和所述第3搬送处理中施加于所述衬底的加速度的最大值比在所述第2搬送处理中施加于所述衬底的加速度的最大值大。

发明的效果

根据本公开内容的技术，能够提高衬底搬送装置的衬底搬送能力，改善衬底处理装置的处理能力。

附图说明

图1是本公开内容的第1实施方式的衬底处理装置的概略构成图。

图2是图1所示的衬底处理装置的一部分的垂直剖视图。

图3是图1所示的衬底处理装置的另一部分的垂直剖视图。

图4是从上方观察本公开内容的第1实施方式的衬底冷却单元所见的构成图。

图5是从侧方观察本公开内容的第1实施方式的衬底冷却单元所见的剖视构成图。

图6是本公开内容的第1实施方式的衬底搬送装置的概略构成图。