[发明专利]堆叠存储器路由技术

权利要求书

1.一种用于动态随机存取存储器裸片DRAM的路由层，所述路由层包括：

多个穿硅通路TSV终端，其经配置以与所述DRAM的TSV电耦合，所述多个TSV终端布置于多个TSV区域中，所述多个TSV区域布置成两列；

中间接口区域，其包含经配置以经由微柱状凸块与半导体中介层的对应微柱状凸块终端耦合的多个微柱状凸块终端，所述中间接口区域布置于所述两列之间且还定位于所述两列中的一列内的所述多个TSV区域的两个相邻TSV区域之间；及

多个路由迹线，其将所述两个相邻TSV区域的每一控制TSV终端与所述中间接口的对应微柱状凸块终端耦合。

2.根据权利要求1所述的路由层，其中所述路由层包含不超过四个路由层，每一路由层包含所述多个路由迹线的一部分。

3.根据权利要求1所述的路由层，其中所述路由层不包含经配置以缓冲所述多个路由迹线的所述路由迹线中的一或多者的信号的缓冲器。

4.根据权利要求1所述的路由层，其中所述多个路由迹线包含具有经配置以等化所述多个路由迹线的路由迹线的迹线长度的超越路径的第二多个路由迹线。

5.根据权利要求4所述的路由层，其中所述超越路径包含所述第二多个路由迹线中的一或多者的蜿蜒路径。

6.根据权利要求1所述的路由层，其中所述多个路由迹线包含经屏蔽路由迹线。

7.一种随机存取存储器装置，其包括：

垂直裸片堆叠，其包含通过穿硅通路TSV互连的多个存储器裸片；

路由层，其形成于所述垂直裸片堆叠内的最下裸片上，所述路由层包括，

穿硅通路TSV终端的第一及第二群组，其经配置以与所述垂直裸片堆叠的所述TSV电耦合，TSV终端的第一群组布置于沿着第一轴延伸的所述路由层的中心区的第一侧上，且TSV终端的所述第二群组布置于所述中心区的第二侧上，其中TSV终端的每一群组包含多个纵向延伸的TSV终端阵列，其中每一TSV终端阵列沿着垂直于所述第一轴的第二轴延伸；

所述中心区中的中间接口区域，所述中间接口区域包含多个接口终端，每一接口终端经配置以与半导体中介层的对应接触件耦合，所述中间接口区域在所述中心区中延伸且还相对于所述第一轴定位于TSV终端的所述第一群组中的第一及第二相邻TSV终端阵列之间；及

所述路由层的多个垂直偏移的路由子层，所述多个垂直偏移子层包括将所述第一及第二相邻TSV终端阵列的TSV终端与所述中间接口区域的对应接口终端耦合的路由迹线。

8.根据权利要求7所述的随机存取存储器装置，其中所述路由层包含不超过四个路由子层，每一路由子层包含所述多个路由迹线的一部分。

9.根据权利要求7所述的随机存取存储器装置，其中所述路由层不包含经配置以缓冲所述多个路由迹线的所述路由迹线中的一或多者的信号的缓冲器。

10.根据权利要求7所述的随机存取存储器装置，其中所述多个路由迹线包含具有经配置以等化所述多个路由迹线的路由迹线的迹线长度的超越路径的第二多个路由迹线。

11.根据权利要求10所述的随机存取存储器装置，其中所述超越路径包含所述第二多个路由迹线中的一或多者的蜿蜒路径。

12.根据权利要求7所述的随机存取存储器装置，其中所述多个路由迹线包含经屏蔽路由迹线。

13.根据权利要求7所述的随机存取存储器装置，其中所述多个存储器裸片包含多个动态随机存取存储器DRAM裸片。