[发明专利]堆叠存储器路由技术

说明书

本发明提供用于在主机与动态随机存取存储器DRAM之间的信号路由的技术。在实例中，用于动态随机存取存储器裸片DRAM的路由层可包含：多个穿硅通路TSV终端，其经配置以与所述DRAM的TSV电耦合；中间接口区域；及多个路由迹线。所述多个TSV终端可布置于多个TSV区域中。所述多个TSV区域可布置成两列。所述中间接口区域可包含经配置以经由微柱状凸块与半导体中介层的对应微柱状凸块终端耦合的多个微柱状凸块终端。所述多个路由迹线可将所述多个TSV区域的控制TSV终端与所述中间接口的对应微柱状凸块终端耦合。

优先权及相关申请案

本申请案主张基斯(Keeth)在2018年9月20日申请的题为“堆叠存储器路由技术(STACKED MEMORY ROUTING TECHNIQUES)”的序列号为62/734,018的美国临时专利申请案的优先权权利，所述美国专利申请案特此以全文引用方式并入本文中。

技术领域

下文大体上涉及操作存储器阵列且更明确来说，涉及主机与动态随机存取存储器(DRAM)之间的直接路由技术。

背景技术

存储器装置广泛用于存储各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者)中的信息。信息是通过编程存储器装置的不同状态而予以存储。例如，二进制装置具有通常通过逻辑“1”或逻辑“0”表示的两个状态。在其它系统中，可存储两个以上状态。为存取所述经存储信息，所述电子装置的组件可读取或感测所述存储器装置中的经存储状态。为存储信息，所述电子装置的组件可在所述存储器装置中写入或编程状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、DRAM、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)及其它。存储器装置可为易失性或非易失性的。

改进存储器装置通常可包含增加存储器胞元密度、增加读取/写入速度、增加可靠性、增加数据保持、降低电力消耗或降低制造成本等等。先进存储器技术已实现许多这些度量的改进，但高可靠性、低延时及/或低功率装置往往很昂贵且可能难以扩展。随着用于高可靠性、低延时、低功率存储器的应用数量增加，对用于此类应用的可扩展、高效及具成本效益的装置的需求还随之增加。

附图说明

在不一定按比例绘制的图式中，相同数字可描述不同视图中的类似组件。具有不同字母后缀的相同数字可表示类似组件的不同例子。所述图式通常通过实例而非通过限制说明本发明中所论述的各个实施例。

图1说明根据本发明的实例的支持特征及操作的存储器裸片的实例。

图2A及2B大体上说明根据本发明的实例的支持特征及操作的装置的实例。

图3说明根据本发明的实例的支持特征及操作的存储器裸片的实例。

图4说明根据本发明的实例的支持特征及操作的存储器裸片的实例。

图5说明根据本发明的实例的支持特征及操作的存储器裸片的实例。

图6说明根据本发明的实例的支持特征及操作的存储器裸片的实例。

图7说明根据本发明的实例的支持特征及操作的数据通道配置的实例。

图8说明根据本发明的实例的支持特征及操作的信号路径路由的实例。

图9大体上说明及根据本各个实例的用于存储器裸片堆叠的直接路由层的实例性布局

图10大体上说明根据本发明标的物的各个实例之一直接路由层的一部分的第一部分细节。

图11大体上说明根据本发明标的物的各个实例的实例性直接路由层的部分的第二部分细节。