[发明专利]JMZ-1、含CHA的沸石及制备方法

权利要求书

1.一种沸石，所述沸石包含CHA型骨架、组合物，所述组合物具有以下摩尔关系：SiO₂：(n)Y₂O₃，其中Y＝Al、Fe、B或Ga，并且n＝0至0.1，其中在煅烧移除模板剂之前的X-射线粉末衍射图在以下位置处包含至少以下衍射峰(以度数2θ(±0.2)表示，具有括号内示出的相对强度)：9.55(VS)、16.27(VS)、20.99(VS)、24.65(M)和31.22(M)，并且煅烧移除所述模板剂后的X-射线衍射数据在以下位置处包含至少以下峰(以度数29表示，具有括号内示出的相对强度)：9.59(VS)、13.03(M)、16.21(W)、17.99(W)、20.83(M-S)、23.31(W)、25.24(W)、26.22(W)、30.98(M-W)和31.43(W)±0.2，其中所述相对强度基于X-射线图中的最强线，所述最强线被指定为值100，并且(W)[弱]小于20；(M)[中等]介于20和40之间；(S)[强]介于40和60之间；并且(VS)[非常强)大于60]。

2.一种组合物，所述组合物包含具有CHA型骨架和结构导向剂(SDA)的沸石，其中所述SDA在骨架结构内，所述沸石具有组合物，所述组合物具有以下摩尔关系：SiO₂：(n)Y₂O₃，其中Y＝Al、Fe、B或Ga，并且n＝0至0.1，并且所述沸石具具有特征性X-射线粉末衍射图，所述特征性X-射线粉末衍射图包含位于下列处的2-θ位置：9.55(VS)、16.27(VS)、20.99(VS)、24.65(M)和31.22(M)±0.2，其中在括号内示出所述对应的相对强度，其中所述相对强度基于X-射线图中的最强线，所述最强线被指定为值100，并且(W)[弱]小于20；(M)[中等]介于20和40之间；(S)[强]介于40和60之间；并且(VS)[非常强)大于60]。

3.根据权利要求2所述的组合物，其中所述特征性X-射线粉末衍射图还包含在下列处的2-θ位置：13.15(W)、13.91(W)、17.50(W)、19.18(W)、21.95(W)、22.87(W)、23.34(W)、28.05(W)和30.40(W)±0.2，其中在括号中示出对应的相对强度。

4.根据权利要求2或权利要求3中任一项所述的组合物，其中所述沸石为铝硅酸盐(Y＝Al)。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的组合物，其中所述沸石为铝硅酸盐并且具有约10至约50、优选地15至30、更优选地20-25的二氧化硅与氧化铝比率(SAR)。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的组合物，其中所述结构导向剂包含三甲基(环己基甲基)铵阳离子。

7.根据权利要求2至6中任一项所述的组合物，其中所述沸石为铝硅酸盐沸石，并且所述结构导向剂(SDA)为三甲基(环己基甲基)铵阳离子。

8.一种组合物，所述组合物包含具有CHA骨架的沸石晶体，其中所述沸石晶体具有骨架结构，所述骨架结构包含四价硅氧化物、三价铝氧化物，并且具有存在于晶体结构中的三甲基(环己基甲基)铵阳离子，其中所述沸石晶体是无水的并且不含取代或未取代的5，4-氮鎓阴离子，并且不含具有取代基的铵阴离子，所述取代基选自桥联多环、环芳基、杂环、不是环己基甲基的环烷基、和C2-C4烷基。