[发明专利]导电性糊剂

说明书

本发明的课题在于，提供一种实现烧制后得到的导电体的低电阻和高粘接强度(晶片剪切强度)的兼顾的导电性糊剂。本发明提供一种导电性糊剂，其包含：(A)铜微粒，其平均粒径为50nm以上且400nm以下、并且微晶直径为20nm以上且50nm以下；(B)铜粒子，其平均粒径为0.8μm以上且5μm以下、并且微晶直径与(A)铜微粒的微晶直径之比为1.0以上且2.0以下；和(C)溶剂。

技术领域

本发明涉及导电性糊剂、芯片贴装剂以及使用芯片贴装剂制作的半导体装置。

背景技术

在半导体装置的制造中，为了将半导体芯片等半导体元件粘接、固定于半导体元件搭载用支撑构件(例如，引线框等金属板)，可使用芯片贴装剂等导电性粘接剂。作为导电性粘接剂中使用的金属粒子，可举出银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、镍(Ni)、钯(Pd)、锡(Sn)和它们的合金等金属粒子、以及用金、银、钯涂覆的无机填料。

在专利文献1中公开了一种接合材料，其不将引起电化学迁移的银用作主成分，而使用了廉价的铜纳米粒子糊剂。在专利文献1中还公开了在铜纳米粒子中混合铜微米粒子等而提高接合性，并且通过着眼于接合气氛，从而在无加压低温烧结中实现了高接合强度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-167145号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，已知若在导电性糊剂中并用铜纳米粒子与铜微米粒子，则存在烧制后所得的导电体的比电阻值变高的情况、粘接强度(晶片剪切强度)变低的情况。在使用导电性糊剂作为芯片贴装剂等导电性粘接剂的情况下，要求低电阻且粘接强度(晶片剪切强度)高的导电性糊剂。

本发明的课题在于提供一种实现兼顾低电阻和高粘接强度(晶片剪切强度)的导电性糊剂。

用于解决课题的手段

用于解决上述课题的具体手段如下所述。

本发明的第一实施方式为一种导电性糊剂，其包含：

(A)铜微粒，其平均粒径为50nm以上且400nm以下、并且微晶直径为20nm以上且50nm以下；

(B)铜粒子，其平均粒径为0.8μm以上且5μm以下、并且微晶直径与(A)铜微粒的微晶直径之比为1.0以上且2.0以下；和

(C)溶剂。

本发明的第二实施方式为包含第一实施方式的导电性糊剂的芯片贴装剂。

本发明的第三实施方式为使用第二实施方式的芯片贴装剂制作的半导体装置。

发明效果

根据本发明，能够提供烧制后得到的导电体不产生裂纹(耐裂纹性的提高)、且实现兼顾低电阻和高粘接强度(晶片剪切强度)的导电性糊剂和芯片贴装剂。另外，根据本发明，能够提供包含实现了兼顾低电阻和高粘接强度(晶片剪切强度)的导电体的半导体装置。

具体实施方式

[导电性糊剂]

本发明的第一实施方式的导电性糊剂包含：(A)铜微粒，其平均粒径为50nm以上且400nm以下、并且微晶直径为20nm以上且50nm以下，(B)铜粒子，其平均粒径为0.8μm以上且5μm以下、并且微晶直径与(A)铜微粒的微晶直径之比为1.0以上且2.0以下，和(C)溶剂。其机理尚不明确，但通过并用(A)铜微粒和(B)铜粒子，并且使(A)铜微粒的微晶直径与(B)铜粒子的微晶直径之比为特定的值，能够在所得的导电体中不产生裂纹(耐裂纹性的提高)，且实现兼顾低电阻和高粘接强度(晶片剪切强度)。