[发明专利]连接电极及连接电极的制造方法在审
申请号: | 201980062857.7 | 申请日: | 2019-09-03 |
公开(公告)号: | CN112823411A | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 坂井亮介 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李国华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 连接 电极 制造 方法 | ||
连接电极具备金属膜(40)、金属膜(50)、混合层(45)及UBM(80)。金属膜(50)形成在金属膜(40)上,UBM(80)形成在金属膜(50)上。混合层(45)是形成金属膜(40)的金属颗粒(P40)与形成金属膜(50)的金属颗粒(P50)混合的层。在沿金属膜(40)及金属膜(50)排列的第一方向观察时,混合层(45)的至少一部分形成在与UBM(80)和金属膜(50)的接合面重叠的第一区域(Re1)。
技术领域
本发明涉及电子部件的连接电极的构造及其制造方法。
背景技术
在专利文献1中记载有弹性波装置的连接电极的构造。在专利文献1的连接电极的构造中,电极连接盘形成在基板上,金属膜形成在电极连接盘上。此外,在金属膜上形成有凸块下金属(under-bump metal)。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特许第5510695号公报
发明内容
发明要解决的课题
这里,也能够在专利文献1的金属膜(第一金属膜)上进一步形成其他的金属膜(第二金属膜),在第二金属膜上形成凸块下金属。在像这样层叠多个金属膜的结构中,有时得到在仅形成一层金属膜的结构中不容易实现的各种效果。
但是,在层叠多个金属膜的结构中,第一金属膜的表面有时会氧化。在该情况下,在第一金属膜与第二金属膜的接合部,电阻变大。因此,作为连接电极的电阻变大,电特性下降。
因此,本发明的目的在于,提供一种在层叠有多个金属膜的构造的连接电极中能够抑制电特性的下降的构造及其制造方法。
用于解决课题的手段
本发明的连接电极具备第一金属膜、第二金属膜、取出电极及混合层。第一金属膜形成于布线电极的主面。第二金属膜形成于第一金属膜中的与抵接于布线电极的抵接面相反的一侧的面。取出电极形成于第二金属膜中的与抵接于第一金属膜的抵接面相反的一侧的面。混合层是形成第一金属膜的第一金属颗粒和形成第二金属膜的第二金属颗粒混合的层。在沿第一金属膜、第二金属膜及取出电极排列的第一方向观察时,混合层的至少一部分形成在与取出电极和第二金属膜的接合面重叠的第一区域。
在该结构中,通过在第一金属膜和第二金属膜形成第一金属颗粒与第二金属颗粒的混合层,从而取出电极的正下方的部分处的电阻率下降。由此,从布线电极经由第一金属膜及第二金属膜而与取出电极连接的路径的电阻下降。
发明效果
根据本发明,在层叠有多个金属膜的构造的连接电极中能够抑制电特性的下降。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式的连接电极的结构的侧面剖视图。
图2是将连接电极的一部分放大后的侧面剖视图。
图3是示意性示出金属颗粒P40、P50的混合状态的图。
图4是示出本发明的实施方式的连接电极的制造方法的流程图。
图5的(A)、(B)、(C)是示出连接电极的制造过程的各状态的图。
图6是示出本发明的实施方式的连接电极的结构的派生例的一例的侧面剖视图。
具体实施方式
参照附图对本发明的实施方式的连接电极及连接电极的制造方法进行说明。图1是示出本发明的实施方式的连接电极的结构的侧面剖视图。图2是将连接电极的一部分放大后的侧面剖视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造