[发明专利]光刻系统和方法在审
申请号: | 201980063196.X | 申请日: | 2019-08-19 |
公开(公告)号: | CN112771446A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | A·尼基帕罗夫;马库斯·艾德里纳斯·范德柯克霍夫;E·W·F·卡西米里;S·萨尔瓦多 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 闫红 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 系统 方法 | ||
1.一种用于将粒子固定到表膜隔膜以供后续用于光刻设备中的系统,所述系统包括粒子固定装置,所述粒子固定装置被配置成将所述粒子固定到所述表膜隔膜。
2.如权利要求1所述的系统,其中,所述粒子固定装置被配置成将所述粒子不能够移除地固定到所述表膜隔膜。
3.如权利要求1或权利要求2所述的系统,其中,所述粒子固定装置配置成将所述粒子固定到所述表膜隔膜的面向掩模版表面。
4.如权利要求1至3中任一项所述的系统,其中,所述粒子固定装置配置成将材料提供到所述表膜隔膜以用于将所述粒子固定到所述表膜隔膜。
5.如权利要求4所述的系统,其中,由所述粒子固定装置提供到所述表膜隔膜的所述材料在所述表膜隔膜的平面中具有小于约10μm的尺寸。
6.如权利要求4或权利要求5所述的系统,其中,由所述粒子固定装置提供到所述表膜隔膜的所述材料在所述表膜隔膜上具有小于约100nm的厚度。
7.如权利要求4至6中任一项所述的系统,其中,由所述粒子固定装置提供的所述材料包括以下各项中的至少一项:钼Mo、钌Ru、锆Zr、硼B、铈Ce、硅Si、钐Sm、镨Pr、铕Eu、钪Sc、钷Pm、钇Y和铷Rb。
8.如权利要求4至7中任一项所述的系统,其中,由所述粒子固定装置提供的所述材料包括碳、氧、氮和氢中的至少一者。
9.如权利要求4至8中任一项所述的系统,其中,由所述粒子固定装置提供的所述材料包括羰基金属和环戊二烯基金属中的至少一者。
10.如权利要求4至9中任一项所述的系统,其中,由所述粒子固定装置提供的所述材料包括莰酮、薄荷醇、萘和联苯中的至少一者。
11.如任一项前述权利要求所述的系统,其中,所述粒子固定装置配置成将电子束或辐射束提供到所述表膜隔膜以用于将所述粒子固定到所述表膜隔膜。
12.如权利要求11所述的系统,其中,所述电子束或所述辐射束配置成诱发所述材料与所述表膜隔膜和/或所述粒子之间的相互作用,并且由此将所述粒子固定到所述表膜隔膜。
13.如权利要求11或权利要求12所述的系统,其中,所述粒子固定装置配置成引导所述电子束或所述辐射束,使得所述电子束或所述辐射束在入射于所述粒子上之前穿过所述表膜隔膜。
14.如权利要求11至13中任一项所述的系统,其中,所述粒子固定装置配置成引导所述电子束或所述辐射束,以在所述表膜隔膜上形成具有在约0.1μm和约5μm之间的直径的射束点。
15.如权利要求11至14中任一项所述的系统,其中,所述粒子固定装置配置成引导所述电子束或所述辐射束以在所述表膜隔膜上的所述粒子上形成射束点,并且其中,所述射束点的外边界距所述粒子小于约5μm,并且可选地其中,所述射束点的所述外边界距所述粒子小于约1μm。
16.如权利要求11至14中任一项所述的系统,其中,所述粒子固定装置配置成引导所述电子束以在所述表膜隔膜的包括所述粒子的区域上形成射束点,并且其中,所述电子束具有在约100V和约100kV之间的能量。
17.如权利要求11至15中任一项所述的系统,其中,所述表膜隔膜在所述粒子固定装置的使用期间安装到掩模版,并且其中,所述电子束具有在约0.5keV和约5keV之间的能量。
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