[发明专利]光刻系统和方法在审

专利信息
申请号: 201980063196.X 申请日: 2019-08-19
公开(公告)号: CN112771446A 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: A·尼基帕罗夫;马库斯·艾德里纳斯·范德柯克霍夫;E·W·F·卡西米里;S·萨尔瓦多 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F1/62 分类号: G03F1/62;G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 闫红
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光刻 系统 方法
【说明书】:

一种用于将粒子固定到表膜隔膜以供后续用于光刻设备中的系统,该系统包括配置成将粒子固定到表膜隔膜的粒子固定装置。粒子固定装置配置成引导电子束或辐射束,使得电子束或辐射束在入射于粒子上之前通过表膜隔膜。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年9月28日递交的EP申请第18197443.7号的优先权,以及2018年10月11日递交的EP申请第18199853.5号的优先权,其全部内容通过引用的方式并入本文中。

技术领域

发明涉及将粒子固定到表膜隔膜的系统和方法,使得当在光刻设备中使用时,粒子不会从表膜隔膜分离而因此不能到达光刻设备的掩模版。

背景技术

光刻设备是构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。光刻设备可以例如将图案化装置(例如掩模版或掩模)处的图案投影到提供于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。

为了将图案投影到衬底上,光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定可以形成于衬底上的特征的最小尺寸。当前在使用中的典型波长是365nm、248nm、193nm和13.5nm。相比于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备,使用具有在4nm至20nm的范围内的波长(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。

一些光刻设备(例如EUV和DUV光刻设备)包括附接到掩模版的表膜隔膜。表膜隔膜是与掩模版的图案间隔开数毫米(例如约5mm)的薄(例如小于约70nm的厚度)透射膜。在表膜隔膜上接收的粒子是在相对于掩模版的图案的远场中,并且因此对由光刻设备投影到衬底上的图像的品质没有显著影响。如果不存在表膜隔膜,则粒子将处于掩模版的图案上并将混淆图案的一部分,由此妨碍图案被正确地投影到衬底上。因此,表膜隔膜在防止粒子不利地影响图案由光刻设备到衬底上的投影方面发挥重要作用。

在表膜附接到掩模版以供用于光刻设备之前,表膜隔膜可能变脏。即,粒子可能在表膜隔膜用于光刻设备之前入射于表膜隔膜上。包括运输表膜隔膜、封装表膜隔膜以及将表膜隔膜安装到掩模版的活动可能导致粒子入射于表膜隔膜上。已经发现存在于表膜隔膜上的一些粒子在光刻曝光期间从表膜隔膜分离并行进至掩模版,并且由此不利地影响投影到衬底上的图案。

目前,丢弃被认为对于使用而言太脏的表膜。处理脏表膜的问题的已知方法涉及例如使用振动、等离子体、湿洗等清洁表膜。然而,已知方法有使表膜断裂的风险,这是因为表膜是极薄的膜并且容易被损坏。清洁脏表膜隔膜的一些已知方法涉及在清洁期间施加热以试图避免引入裂纹至表膜隔膜。然而,施加热量也可能促使表膜变弱,由此减少表膜隔膜的操作寿命。

例如,需要提供预防或减轻无论是在本文中还是在别处识别的现有技术的一个或多个问题的方法。

发明内容

根据本发明的第一方面,提供一种用于将粒子固定到表膜隔膜以供后续用于光刻设备中的系统,该系统包括配置成将粒子固定到表膜隔膜的粒子固定装置。

粒子可以在表膜隔膜用于光刻设备之前入射于表膜隔膜上。在光刻曝光期间,表膜隔膜上的粒子中的一些粒子可能从表膜隔膜行进至掩模版。然后,这些粒子可能在光刻曝光期间成像到衬底上,并且由此不利地影响光刻曝光的品质。用于将粒子固定到表膜隔膜的系统有利地防止粒子行进至掩模版,并且由此防止粒子不利地影响光刻曝光。

粒子固定装置可以配置成将粒子不能移除地固定到表膜隔膜。粒子可以在表膜隔膜的操作寿命的整个持续时间中固定到表膜隔膜。

粒子固定装置可以配置成将粒子固定到表膜隔膜的面向掩模版表面。

粒子固定装置可以配置成将材料提供到表膜隔膜以用于将粒子固定到表膜隔膜。

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