[发明专利]半导体装置、通信模块和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体基板；

沟道层，形成在所述半导体基板上并且包括第一化合物半导体；

势垒层，形成在所述沟道层上并且包括与所述第一化合物半导体不同的第二化合物半导体；

栅电极，经由栅极绝缘膜设置在所述势垒层上；

源电极和漏电极，设置在所述沟道层上且所述栅电极介于所述源电极与所述漏电极之间；

基板开口，贯通所述沟道层并且暴露所述半导体基板；

绝缘膜，从所述栅电极、所述源电极和所述漏电极的上部到所述基板开口的内侧设置所述绝缘膜；以及

配线层，设置在所述绝缘膜上，并且经由设置在所述绝缘膜上的开口电耦接至所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的一个，其中，

所述基板开口的至少一部分形成在设置有所述栅电极、所述源电极和所述漏电极的活性化区域中。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，从所述栅电极、所述源电极和所述漏电极的上部到所述基板开口的底面的一部分设置所述绝缘膜。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述基板开口相对于所述栅电极形成在位于所述源电极侧的所述活性化区域中。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述源电极被所述基板开口分割，并且

所分割的源电极通过形成在所述基板开口的内侧的所述配线层电耦接。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，还包括导体层，所述导体层沿着开口设置并且电耦接至形成在所述基板开口的内侧的所述配线层，所述开口从位于设置有所述基板开口的一侧的相对侧的表面贯通所述半导体基板。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括接触层，所述接触层贯通所述势垒层设置在所述源电极和所述漏电极中的每一个与所述沟道层之间。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体基板具有1000Ω·cm或更大的电阻率。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一化合物半导体和所述第二化合物半导体是Al_1-a-bGa_aIn_bN(其中，0≤a≤1，0≤b≤1，并且a+b≤1)。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极绝缘膜的介电常数高于所述绝缘膜的介电常数。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体基板在所述半导体基板的设置有所述基板开口的一侧的表面附近具有低电阻区域，所述低电阻区域的电阻率低于所述半导体基板的任何其他部分的电阻率，并且

所述半导体基板的所述低电阻区域的至少一部分暴露在所述基板开口中。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述低电阻区域的电阻率小于1000Ω·cm。

12.一种半导体装置，包括：

半导体基板；

沟道层，形成在所述半导体基板上并且包括第一化合物半导体；

势垒层，形成在所述沟道层上并且包括与所述第一化合物半导体不同的第二化合物半导体；

栅电极，经由栅极绝缘膜设置在所述势垒层上；

源电极和漏电极，设置在所述沟道层上且所述栅电极介于所述源电极与所述漏电极之间；

基板开口，贯通所述沟道层并且暴露所述半导体基板；

绝缘膜，从所述栅电极、所述源电极和所述漏电极的上部到所述基板开口的内侧设置所述绝缘膜；以及

低电阻区域，设置在所述半导体基板的设置有所述基板开口的一侧的表面附近，且所述低电阻区域的电阻率低于所述半导体基板的任何其他部分的电阻率，其中，

所述半导体基板的所述低电阻区域的至少一部分暴露在所述基板开口中。