[发明专利]电源电路和发射装置

权利要求书

1.一种电源电路，包括电流反馈单元，

其中，所述电流反馈单元具有两个p型MOS晶体管、控制元件和第一电阻器，其中，第一所述p型MOS晶体管的源极连接到第一电流源，漏极连接到第三电流源及第二所述p型MOS晶体管的栅极，栅极被施加偏置电压；第二所述p型MOS晶体管的源极连接到电源，漏极连接到所述第一电阻器的一端；所述控制元件的漏极连接到所述第一电流源，源极连接到所述第一电阻器的另一端，栅极连接到第四电流源，

所述两个p型MOS晶体管和所述控制元件构成使电流返回的电流折返电路，

在电路中在参考电流的95％至105％范围内的电流流过所述控制元件和所述第一电阻器，并且至少取决于所述第一电阻器和所述参考电流来确定输出电压。

2.根据权利要求1所述的电源电路，其中，所述输出电压的值至少通过所述第一电阻器的电阻值与所述参考电流的电流值的乘积来计算。

3.根据权利要求1所述的电源电路，其中，所述输出电压满足以下表达式(1)，其中，所述参考电流由Iref表示，所述控制元件的栅极-源极电压由Vgs表示，所述第一电阻器由R1表示并且所述控制元件的输入电压由Vref表示，

[表达式1]

Vout＝Vref-Vgs+Iref×R1...(1)。

4.根据权利要求3所述的电源电路，包括偏压产生单元，

其中所述控制元件由n型MOS晶体管构成，

所述偏压产生单元具有第二电阻器以及与所述控制元件相同的元件，并且

所述输出电压满足以下表达式(2)，其中所述第二电阻器由R2表示，所述输入电压Vref表达为Iref×R2+Vgs，

[表达式2]

Vout＝Iref×(R1+R2)...(2)。

5.根据权利要求4所述的电源电路，其中，所述第一电阻器和所述第二电阻器中的至少一者由可变电阻器构成。

6.根据权利要求4所述的电源电路，其中，流过所述控制元件的电流流过所述第一电阻器。

7.根据权利要求4所述的电源电路，其中，在所述第一电阻器的电阻值远小于所述第二电阻器的电阻值的情况下，根据所述第二电阻器的电阻值来确定所述输出电压。

8.根据权利要求4所述的电源电路，

其中，所述偏压产生单元还包括复制源电流源，并且

所述复制源电流源的电流用作所述参考电流。

9.根据权利要求1所述的电源电路，具有至少两个第一电阻器，并且

取决于相应的所述第一电阻器的位置，具有至少两个输出电压。

10.根据权利要求1所述的电源电路，其中，所述电流反馈单元还具有差分电路。

11.一种发射装置，

其中，安装有电源电路，

所述电源电路包括电流反馈单元，

所述电流反馈单元具有两个p型MOS晶体管、控制元件和第一电阻器，其中，第一所述p型MOS晶体管的源极连接到第一电流源，漏极连接到第三电流源及第二所述p型MOS晶体管的栅极，栅极被施加偏置电压；第二所述p型MOS晶体管的源极连接到电源，漏极连接到所述第一电阻器的一端；所述控制元件的漏极连接到所述第一电流源，源极连接到所述第一电阻器的另一端，栅极连接到第四电流源，

所述两个p型MOS晶体管和所述控制元件构成使电流返回的电流折返电路，

在电路中在参考电流的95％至105％范围内的电流流过所述控制元件和所述第一电阻器，并且至少取决于所述第一电阻器和所述参考电流来确定输出电压。