[发明专利]电源电路和发射装置有效

专利信息
申请号: 201980064491.7 申请日: 2019-08-06
公开(公告)号: CN112805655B 公开(公告)日: 2022-11-08
发明(设计)人: 小西弘展;铃木登志生 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电源 电路 发射 装置
【说明书】:

提供可以降低电源电压的电源电路和发射装置。提供设置有电流反馈单元的电源电路,其中电流反馈单元具有两个p型MOS晶体管、控制元件和第一电阻器;该两个p型MOS晶体管和控制元件构成使电流返回的电流折返电路;基本与电路中的参考电流相同的电流流过控制元件和第一电阻器;并且至少取决于第一电阻器和参考电流来确定输出电压。

技术领域

本技术涉及电源电路和发射装置,并且尤其涉及应用电流反馈型低压差(LDO)稳压器的电源电路。

背景技术

已知低压差(LDO)稳压器,其可以在电源电路中的输入电压与输出电压之间的极小差异的情况下工作。

高速接口(IF)标准限定输出信号的差分输出电压或常用电压。例如,作为用于手机的芯片对芯片接口的MIPI D-PHY标准以及用于待安装在CMOS图像传感器上的高速串行接口的SLVS-EC标准,规定差分信号的常用电压为0.2V。因此,差分驱动器的电源需要0.4V。此外,在MIPI C-PHY标准的情况下,需要0.45V。

作为用于此差分驱动器的电源,必须从外部施加电压或在芯片内部安装电源电路(稳压器)。然后,在将稳压器安装在芯片中的情况下,期望差分驱动器具有大负载电流和低功耗,并且因此使用低压差(LDO)稳压器(例如,专利文献1)。

引用列表

专利文件

专利文献1:国际公开WO 2016/190112

发明内容

本发明待解决的问题

作为低压差(LDO)稳压器,通常已知电压反馈型LDO稳压器。在电压反馈型LDO稳压器的情况下,通常通过电源和GND之间的多级(例如,四级)来配置晶体管,因此不能实现降低电源电压。

鉴于这类情况而提出本技术,并且其主要目的是提供能够实现降低电源电压的电源电路和发射装置。

问题的解决方案

作为用于解决上述目标的努力研究的结果,本发明人成功地实现降低电源电压并且完成本技术。

即,本技术首先提供包括电流反馈单元的电源电路,

其中电流反馈单元具有两个p型MOS晶体管、控制元件和第一电阻器,

该两个p型MOS晶体管和控制元件构成使电流返回的电流折返电路,

与电路中的参考电流基本相同的电流流过控制元件和第一电阻器,并且至少取决于第一电阻器和参考电流来确定输出电压。

在根据本技术的电源电路中,可以至少通过第一电阻器的电阻值和参考电流的电流值的乘积,来计算输出电压值。

在根据本技术的电源电路中,输出电压可以满足以下表达式(1),其中参考电流由Iref表示,控制元件的栅极-源极电压由Vgs表示,第一电阻器由R1表示,而控制元件的输入电压由Vref表示,

[表达式1]

Vout=Vref-Vgs+Iref×R1...(1)。

在根据本技术的电源电路中,

可以提供偏压产生单元,

可以用n型MOS晶体管配置控制元件,

偏压产生单元可以具有第二电阻器以及与控制元件基本相同的元件,并且

输出电压可以满足以下表达式(2),其中第二电阻器由R2表示并且输入电压Vref被表达为Iref×R2+Vgs,

[表达式2]

Vout=Iref×(R1+R2)...(2)。

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