[发明专利]混合式双列直插式存储器模块中的高速缓存操作在审

专利信息
申请号: 201980064710.1 申请日: 2019-09-17
公开(公告)号: CN112805692A 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: P·斯通莱克;H·西苗内斯库;S·米塔尔;R·M·沃克;A·拉伊;G·阿南德 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G06F12/084 分类号: G06F12/084;G06F3/06
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 混合式 双列直插式 存储器 模块 中的 高速缓存 操作
【权利要求书】:

1.一种系统,其包括:

第一存储器组件,其包括第一存储器类型;

第二存储器组件,其包括第二存储器类型,耦合到所述第一存储器组件的,其中所述第二存储器类型与所述第一存储器组件相比具有较高存取时延;

第三存储器类型的第三存储器组件,其耦合到所述第一存储器组件和所述第二存储器组件,其中所述第三存储器组件与所述第一和第二存储器组件相比具有较高存取时延;和

处理装置,其以操作方式与所述第一存储器组件、所述第二存储器组件和所述第三存储器组件耦合以执行包括以下操作的操作:

识别存储于所述第一存储器组件中的数据页的区段;

识别与所述数据页和所述数据页的所述区段相关联的存取模式;

基于所述存取模式确定将所述数据页高速缓存于所述第二存储器组件处;

将存储于所述第一存储器组件中的所述数据页的所述区段复制到所述第二存储器组件;和

将存储于所述第三存储器组件处的所述数据页的一或多个额外区段复制到所述第二存储器组件。

2.根据权利要求1所述的系统,其中所述第三存储器类型对应于交叉点阵列存储器,所述第二存储器类型对应于动态随机存取存储器DRAM,且所述第一存储器类型对应于静态随机存取存储器SRAM。

3.根据权利要求1所述的系统,其中所述存取模式包括包含在所述数据页中的多个区段的聚合。

4.根据权利要求3所述的系统,其中所述第三存储器组件与所述第一存储器组件和所述第二存储器组件相比具有较高数据容量,且其中高速缓存于所述第二存储器组件处的所述数据还存储于所述第三存储器组件处。

5.根据权利要求3所述的系统,其中所述第一存储器组件、第二存储器组件、第三存储器组件和高速缓存管理器位于混合式双列直插式存储器模块内,且其中所述高速缓存管理器通过可变时延接口协议与主机系统通信。

6.根据权利要求1所述的系统,其中所述处理装置进一步基于与用以跟踪数据存取模式的页高速缓存标记和扇区高速缓存标记相关联的存取数据,确定是否将数据高速缓存于所述第二存储器组件处。

7.根据权利要求1所述的系统,其中与存储于所述第二存储器组件处的数据相比,以更高粒度存取存储于所述第三存储器组件处的数据。

8.一种方法,其包括:

确定存储于第一存储器组件处的数据页的多个区段;

接收识别与存储于所述第一存储器组件处的数据页的所述多个区段相关联的主机存取的信息;

通过处理装置,基于识别所述主机存取的所述信息识别将存储于第二存储器组件处的数据页的所述多个区段中的一或多个,其中所述第二存储器组件对应于高速缓存存储器;和

将所述一或多个数据页中的每一个的所述一或多个区段从所述第一存储器组件复制到所述第二存储器组件;和

将所述数据页中的每一个的一或多个剩余区段从存储所述数据页的第三存储器组件复制到所述第二存储器组件,其中所述一或多个区段是存储于所述第三存储器组件处的所述数据页的部分。

9.根据权利要求8所述的方法,其中所述第一存储器组件与所述第二和第三存储器组件相比具有较低存取时延,且其中所述第二存储器组件与所述第三存储器组件相比具有较低存取时延。

10.根据权利要求8所述的方法,其中识别主机存取的所述信息对应于主机系统基于发生所述主机存取的时间请求存取与数据页的所述一或多个区段相关联的特定数据页和额外数据的次数。

11.根据权利要求8所述的方法,其另外包括:

从与所述数据页相关联的主机系统接收推测性读取的指示;和

基于所述推测性读取的所述指示,识别将存储于所述第二存储器组件处的数据页的所述多个区段中的所述一或多个区段,其中在从所述主机系统接收到所述推测性读取的数据的读取操作之前,将所述推测性读取的所述数据存储于所述第二存储器组件处。

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