[发明专利]光刻设备中的物体

权利要求书

1.一种浸没式光刻设备，包括：

物体，所述物体包括：

衬底和外层，所述外层在使用时与浸没液体接触，

其中，所述外层具有包括稀土元素的成分。

2.根据权利要求1所述的浸没式光刻设备，其中，所述成分还包括无机和/或有机硅聚合物。

3.根据权利要求2所述的浸没式光刻设备，其中，所述聚合物具有Si-O-Si-O主链。

4.根据权利要求2所述的浸没式光刻设备，其中，所述聚合物具有选自甲基、乙基、丙基、苯基、乙烯基的一个或多个基团。

5.根据权利要求1或2所述的浸没式光刻设备，其中，所述稀土元素被至少部分地氧化、氮化、硼化、碳化或硅化。

6.根据权利要求1或2所述的浸没式光刻设备，其中，所述物体还包括介于所述衬底与所述外层之间的中间层。

7.根据权利要求7所述的浸没式光刻设备，其中，所述中间层包括SiO2、SiO2-x中的一个或多个。

8.根据权利要求1或2所述的浸没式光刻设备，其中，所述外层具有在所述层厚度上的、随着距所述衬底的距离增加而增加的稀土元素的浓度梯度。

9.根据权利要求1或2所述的浸没式光刻设备，其中，所述稀土元素以0.1％原子百分比至50％原子百分比的浓度(原子百分比)存在于所述外层的外表面中。

10.根据权利要求1或2所述的浸没式光刻设备，其中，所述物体包括至少一个图案化层，所述至少一个图案化层包括形成在所述衬底上的通孔的图案和/或形成在所述通孔中的台阶的图案，并且其中所述外层形成在所述图案化层的至少一部分上。

11.根据权利要求1至14中任一项所述的浸没式光刻设备，其中，所述物体还包括形成在位于所述外层下方的所述衬底上的辐射阻挡层。

12.根据权利要求11所述的浸没式光刻设备，其中，所述辐射阻挡层包括TiN。

13.根据权利要求1或2所述的浸没式光刻设备，其中，所述外层对深紫外辐射是透射性的，其中所述外层的透射率是至少50％。

14.根据权利要求1-13中任一项所述的浸没式光刻设备，其中，所述物体是传感器。

15.根据权利要求1或2中所述的浸没式光刻设备，其中，所述稀土元素是选自包括铈(Ce)、镧(La)、钇(Y)、镝(Dy)、铒(Er)、钬(Ho)、钐(Sm)、铥(Tm)的组中的一个或多个元素。

16.一种用于光刻设备的物体，包括：

衬底和外层，其中

水与所述外层的后退接触角是至少75°；并且

所述外层具有包括稀土元素的成分。

17.一种涂层衬底的方法，包括：

提供衬底；

通过以下中的至少一种，在所述衬底上沉积具有包括稀土元素的成分的外层：

(a)溅射，其中至少一个溅射靶材料包括稀土元素，和

(b)PVD和/或CVD和/或ALD，其中前体/反应性气体中的至少一个包括稀土元素，和

(c)等离子体引发的(共)聚合，和

(d)离子注入，其中离子源是金属蒸汽电弧源，并且蒸汽至少部分地包括稀土。