[发明专利]光刻设备中的物体在审

专利信息
申请号: 201980064875.9 申请日: 2019-09-25
公开(公告)号: CN112889003A 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: A·尼基帕罗夫;J·F·M·贝克尔斯 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;C23C16/30
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张启程
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光刻 设备 中的 物体
【说明书】:

发明涉及一种物体,诸如用于浸没式光刻设备的传感器,所述物体具有与浸没液体接触的外层,并且其中,所述外层具有包括稀土元素的成分。本发明还涉及包括这样的物体的浸没式光刻设备和用于制造这样的物体的方法。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年10月1日递交的欧洲申请18197937.8的优先权,所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本发明涉及光刻设备中的物体,其中所述物体具有被应用至所述物体的层。本发明特别地涉及一种用于光刻设备的传感器的传感器标记和一种使用光刻设备来制造器件的方法。

背景技术

光刻设备是一种被构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如,光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如,掩模)的图案(也经常被称为“设计布局”或“设计”)投影到被设置在衬底(例如,晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。

为了将图案投影到衬底上,光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定在衬底上图案化的特征的最小大小。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用极紫外(EUV)辐射(具有在4nm至20nm范围内的波长,例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可以被用于在衬底上形成与使用例如具有193nm波长的辐射的光刻设备相比更小的特征。

在浸没式光刻设备中,液体被液体限制结构限制于浸没空间。浸没空间位于通过其来对图案进行成像的投影系统的最终光学元件与图案被转印其上的衬底或其上保持有衬底的衬底台之间。液体可以通过液体密封而被限制于浸没空间。液体限制结构可以产生或使用气体流,例如以帮助控制浸没空间中的液体的流动和/或位置。气体流可以帮助形成密封以将液体至浸没空间。衬底支撑台的至少一部分涂覆有具有有限亲水性的涂层,以减少由于衬底支撑台相对于最终光学元件的运动而导致的液体损失。被集成到衬底支撑台的传感器的至少一部分涂覆有具有有限亲水性的涂层,以减少液体损失,并通过保持液体蒸发来降低热负荷。

浸没式光刻设备依赖被集成到支撑衬底的支撑台中的若干传感器。这些传感器被用于:

-相对于参考框架的衬底/支撑台对准;

-透镜(重)调整、设置、加热补偿;和

-掩模版(掩模)加热补偿。

传感器的标记被集成到薄膜层的叠层中,叠层被沉积在内置于支撑台中的透明(石英)板上,并用作:

-用于DUV的空间透射滤光器(在扫描器“ILIAS”传感器处的集成式透镜干涉仪、并行式ILIAS传感器(PARIS)、透射图像传感器“TIS”传感器功能)。

-用于可见辐射“VIS”、近红外“NIR”、中红外“MIR”的空间反射型滤光器(智能对准传感器混合型“SMASH”传感器功能)

来自叠层的顶表面(无标记区)的反射被用于水平传感器。

例如,由于暴露于深紫外辐射,上部疏水层(例如,具有有限亲水性的层)遭受劣化。

疏水层(例如具有有限亲水性的层)被施加至光刻设备中的其它物体。实际上,光刻设备中的许多物体具有施加其上的涂层或层。可能难以防止涂层或层劣化。

出于许多原因,涂层或层的劣化是不期望的,这些原因包括不期望地产生的颗粒,这些颗粒如果找到进入用于对衬底进行成像的束路径或进入传感器可能引入成像误差,以及以下事实:一旦涂层或层劣化,由于涂层或层(例如,疏水的涂层或层)的存在而期望的性质就不再存在。

发明内容

期望为光刻设备中的物体提供具有改善的抗劣化性的外层(例如,涂层),例如以为传感器标记提供改善的疏水(例如,有限的亲水性)涂层抗劣化性。

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