[发明专利]激光加工方法、半导体器件制造方法和检查装置

权利要求书

1.一种激光加工方法，其特征在于，包括：

第1步骤，准备包括具有正面和背面的半导体衬底以及形成于所述正面的功能元件层的晶片，分别沿着多条线从所述背面一侧对所述晶片照射激光，来分别沿着所述多条线在所述半导体衬底的内部形成多排改性区域；和

第2步骤，在所述多排改性区域中的最靠近所述背面的改性区域与所述背面之间的检查区域中，检查从最靠近所述背面的所述改性区域向所述背面一侧延伸的裂纹的前端位置，

在所述第1步骤中，以形成跨所述多排改性区域的裂纹的条件来分别沿着所述多条线从所述背面侧对所述晶片照射所述激光，

在所述第2步骤中，从所述背面侧对焦到所述检查区域内而检测在所述半导体衬底中从所述正面一侧传播到所述背面一侧的光，来检查所述前端位置。

2.如权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于：

在所述第1步骤中，以跨所述多排改性区域的所述裂纹到达所述正面的条件来分别沿着所述多条线从所述背面一侧对所述晶片照射所述激光。

3.如权利要求2所述的激光加工方法，其特征在于：

还包括基于所述第2步骤的检查结果来评价所述第1步骤的加工结果的第3步骤，

在所述第3步骤中，在所述前端位置相对于最靠近所述背面的所述改性区域与所述背面之间的基准位置位于所述背面一侧时，评价为跨所述多排改性区域的所述裂纹到达了所述正面，在所述前端位置相对于所述基准位置位于所述正面一侧时，评价为跨所述多排改性区域的所述裂纹未到达所述正面。

4.如权利要求3所述的激光加工方法，其特征在于：

所述检查区域为从所述基准位置向所述背面一侧延伸且未到达所述背面的区域，

在所述第3步骤中，所述前端位置位于所述检查区域时，评价为跨所述多排改性区域的所述裂纹到达了所述正面，所述前端位置不位于所述检查区域时，评价为跨所述多排改性区域的所述裂纹未到达所述正面。

5.如权利要求1至4中任一项所述的激光加工方法，其特征在于：

所述多排改性区域为2排改性区域。

6.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：

权利要求3或4所述的激光加工方法所包括的所述第1步骤、所述第2步骤和所述第3步骤；以及

第4步骤，在所述第3步骤中评价为跨所述多排改性区域的所述裂纹到达了所述正面的情况下，通过对所述背面进行研磨来使跨所述多排改性区域的所述裂纹露出到所述背面，并分别沿着所述多条线将所述晶片切断为多个半导体器件。

7.如权利要求6所述的半导体器件制造方法，其特征在于：

在所述第4步骤中，至少将所述背面研磨至所述基准位置。

8.一种检查装置，其特征在于，包括：

支承晶片的平台，所述晶片包括具有正面和背面的半导体衬底以及形成于所述正面的功能元件层，且分别沿着多条线在所述半导体衬底的内部形成有多排改性区域；

输出对于所述半导体衬底具有透射性的光的光源；

使从所述光源输出并在所述半导体衬底中传播后的所述光透射的物镜；

检测从所述物镜透射的所述光的光检测部；和

检查部，其基于从所述光检测部输出的信号，在所述多排改性区域中的最靠近所述背面的改性区域与所述背面之间的检查区域中，检查从最靠近所述背面的所述改性区域向所述背面一侧延伸的裂纹的前端位置，

所述物镜从所述背面一侧对焦到所述检查区域内，

所述光检测部检测在所述半导体衬底中从所述正面一侧传播到所述背面一侧的所述光。

9.如权利要求8所述的检查装置，其特征在于：

所述物镜的数值孔径在0.45以上。

10.如权利要求8或9所述的检查装置，其特征在于：

所述物镜具有校正环。