[发明专利]激光加工方法、半导体器件制造方法和检查装置在审
申请号: | 201980065075.9 | 申请日: | 2019-10-02 |
公开(公告)号: | CN112789707A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 坂本刚志;铃木康孝;佐野育 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01L21/78;B23K26/00;B23K26/53;B24B7/00;B24B49/12 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 加工 方法 半导体器件 制造 检查 装置 | ||
1.一种激光加工方法,其特征在于,包括:
第1步骤,准备包括具有正面和背面的半导体衬底以及形成于所述正面的功能元件层的晶片,分别沿着多条线从所述背面一侧对所述晶片照射激光,来分别沿着所述多条线在所述半导体衬底的内部形成多排改性区域;和
第2步骤,在所述多排改性区域中的最靠近所述背面的改性区域与所述背面之间的检查区域中,检查从最靠近所述背面的所述改性区域向所述背面一侧延伸的裂纹的前端位置,
在所述第1步骤中,以形成跨所述多排改性区域的裂纹的条件来分别沿着所述多条线从所述背面侧对所述晶片照射所述激光,
在所述第2步骤中,从所述背面侧对焦到所述检查区域内而检测在所述半导体衬底中从所述正面一侧传播到所述背面一侧的光,来检查所述前端位置。
2.如权利要求1所述的激光加工方法,其特征在于:
在所述第1步骤中,以跨所述多排改性区域的所述裂纹到达所述正面的条件来分别沿着所述多条线从所述背面一侧对所述晶片照射所述激光。
3.如权利要求2所述的激光加工方法,其特征在于:
还包括基于所述第2步骤的检查结果来评价所述第1步骤的加工结果的第3步骤,
在所述第3步骤中,在所述前端位置相对于最靠近所述背面的所述改性区域与所述背面之间的基准位置位于所述背面一侧时,评价为跨所述多排改性区域的所述裂纹到达了所述正面,在所述前端位置相对于所述基准位置位于所述正面一侧时,评价为跨所述多排改性区域的所述裂纹未到达所述正面。
4.如权利要求3所述的激光加工方法,其特征在于:
所述检查区域为从所述基准位置向所述背面一侧延伸且未到达所述背面的区域,
在所述第3步骤中,所述前端位置位于所述检查区域时,评价为跨所述多排改性区域的所述裂纹到达了所述正面,所述前端位置不位于所述检查区域时,评价为跨所述多排改性区域的所述裂纹未到达所述正面。
5.如权利要求1至4中任一项所述的激光加工方法,其特征在于:
所述多排改性区域为2排改性区域。
6.一种半导体器件制造方法,其特征在于,包括:
权利要求3或4所述的激光加工方法所包括的所述第1步骤、所述第2步骤和所述第3步骤;以及
第4步骤,在所述第3步骤中评价为跨所述多排改性区域的所述裂纹到达了所述正面的情况下,通过对所述背面进行研磨来使跨所述多排改性区域的所述裂纹露出到所述背面,并分别沿着所述多条线将所述晶片切断为多个半导体器件。
7.如权利要求6所述的半导体器件制造方法,其特征在于:
在所述第4步骤中,至少将所述背面研磨至所述基准位置。
8.一种检查装置,其特征在于,包括:
支承晶片的平台,所述晶片包括具有正面和背面的半导体衬底以及形成于所述正面的功能元件层,且分别沿着多条线在所述半导体衬底的内部形成有多排改性区域;
输出对于所述半导体衬底具有透射性的光的光源;
使从所述光源输出并在所述半导体衬底中传播后的所述光透射的物镜;
检测从所述物镜透射的所述光的光检测部;和
检查部,其基于从所述光检测部输出的信号,在所述多排改性区域中的最靠近所述背面的改性区域与所述背面之间的检查区域中,检查从最靠近所述背面的所述改性区域向所述背面一侧延伸的裂纹的前端位置,
所述物镜从所述背面一侧对焦到所述检查区域内,
所述光检测部检测在所述半导体衬底中从所述正面一侧传播到所述背面一侧的所述光。
9.如权利要求8所述的检查装置,其特征在于:
所述物镜的数值孔径在0.45以上。
10.如权利要求8或9所述的检查装置,其特征在于:
所述物镜具有校正环。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浜松光子学株式会社,未经浜松光子学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980065075.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造