[发明专利]激光加工方法、半导体器件制造方法和检查装置

说明书

本发明的检查装置包括：支承在半导体衬底的内部形成有多排改性区域的晶片的平台；输出对于半导体衬底具有透射性的光的光源；使在半导体衬底中传播的光透射的物镜；检测从物镜透射的光的光检测部；和检查部，其在最靠近半导体衬底的背面的改性区域与背面之间的检查区域中，检查从最靠近背面的改性区域向背面侧延伸的裂纹的前端位置，物镜从背面侧对焦到检查区域内。光检测部是检测在半导体衬底中从半导体衬底的正面侧传播到背面侧的光。

技术领域

本发明涉及激光加工方法、半导体器件制造方法和检查装置。

背景技术

已知有一种激光加工装置，其为了将包括半导体衬底和形成于半导体衬底的正面上的功能元件层的晶片分别沿着多条线切断，而从半导体衬底的背面侧对晶片照射激光，来分别沿着多条线在半导体衬底的内部形成多排改性区域。专利文献1所记载的激光加工装置包括红外线摄像机，能够从半导体衬底的背面侧观察形成于半导体衬底的内部的改性区域和形成于功能元件层的加工损伤等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-64746号公报

发明内容

发明所要解决的问题

在上述激光加工装置中，以形成跨多排改性区域的裂纹的条件来从半导体衬底的背面侧照射激光至晶片的情况。在这样的情况下，若因为例如激光加工装置的状态不佳等，跨多排改性区域的裂纹未充分地延伸至半导体衬底的正面侧，则在之后的步骤中，有可能无法分别沿着多条线可靠地切断晶片。特别是在改性区域的形成后研磨半导体衬底的背面时，若在研磨步骤之前无法确认跨多排改性区域的裂纹是否充分地延伸至半导体衬底的正面侧，则有可能在研磨步骤之后无法分别沿着多条线来可靠地切断晶片，研磨步骤白费。

关于跨多排改性区域的裂纹是否充分地延伸至半导体衬底的正面侧，仅观察改性区域难以确认。虽然可以观察跨多排改性区域的裂纹，但通常裂纹的宽度比红外线的波长小，因此只使用红外线摄影机难以观察裂纹。

本发明以提供一种能够确认跨多排改性区域的裂纹是否充分地延伸至半导体衬底的正面侧的激光加工方法、半导体器件制造方法和检查装置为目的。

用于解决课题的技术方案

本发明的一个方式的激光加工方法包括：第1步骤，准备包括具有正面和背面的半导体衬底以及形成于正面的功能元件层的晶片，分别沿着多条线从背面一侧对晶片照射激光，来分别沿着多条线在半导体衬底的内部形成多排改性区域；和第2步骤，在多排改性区域中的最靠近背面的改性区域与背面之间的检查区域中，检查从最靠近背面的改性区域向背面一侧延伸的裂纹的前端位置，在第1步骤中，以形成跨多排改性区域的裂纹的条件来分别沿着多条线从背面侧对晶片照射激光，在第2步骤中，从背面侧对焦到检查区域内而检测在半导体衬底中从正面一侧传播到背面一侧的光，来检查前端位置。

在该激光加工方法中，从半导体衬底的背面侧对焦到在最靠近半导体衬底的背面的改性区域与该背面之间的检查区域内，检测在半导体衬底中从正面一侧传播到背面一侧的光。通过这样检测光，在检查区域中，能够确认从最靠近背面的改性区域向半导体衬底的背面侧延伸的裂纹的前端位置。而且，裂纹的前端位置相对于最靠近半导体衬底的背面的改性区域与该背面之间的基准位置位于半导体衬底的正面一侧时，预计跨多排改性区域的裂纹未被充分地延伸至半导体衬底的正面一侧。因此，依据该激光加工方法，能够确认跨多排改性区域的裂纹是否充分地延伸至半导体衬底的正面侧。

在本发明的一个方式的激光加工方法中，也可以在第1步骤中，以跨多排改性区域的裂纹到达正面的条件来分别沿着多条线从背面一侧对晶片照射激光。由此，能够确认跨多排改性区域的裂纹是否到达半导体衬底的正面。