[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具备：

半导体元件，其具有在第一方向上互相朝向相反侧的元件主面以及元件背面，在上述元件主面上形成有主面电极，在上述元件背面上形成有背面电极；

第一导电体，其与上述元件背面对置，且导通接合有上述背面电极；

第二导电体，其与上述第一导电体分离地配置，且与上述主面电极导通；以及

连接部件，其具有朝向与上述元件主面相同的方向的连接部件主面，且连接上述主面电极和上述第二导电体，

上述连接部件包括从上述连接部件主面向上述第一方向突出的第一突起，并且，经由第一接合层与上述主面电极接合，

在从上述第一方向观察时，上述第一突起与上述主面电极重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在从上述第一方向观察时，上述第一突起在与上述第一方向正交的第二方向上延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一突起具有从上述连接部件主面立起的一对第一侧面，

上述一对第一侧面在与上述第一方向以及上述第二方向正交的第三方向上离开。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

上述一对第一侧面相对于上述连接部件主面倾斜。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

上述一对第一侧面所成的角度为60～120°。

6.根据权利要求3～5任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一突起还具有与上述一对第一侧面相连的第一顶面。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一顶面是平坦的。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一顶面相对于上述连接部件主面倾斜。

9.根据权利要求1～8任一项所述的半导体装置，其特征在于，

还具备介于上述连接部件与上述第二导电体之间且使上述连接部件和上述第二导电体导通的第二接合层。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

上述连接部件包括从上述连接部件主面向上述第一方向突出的一个以上的第二突起，

在从上述第一方向观察时，上述一个以上的第二突起分别与上述第二接合层重叠。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

在从上述第一方向观察时，上述第二突起在与上述第一方向正交的第二方向上延伸。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

上述第二突起具有从上述连接部件主面立起的一对第二侧面，

上述一对第二侧面在与上述第一方向以及上述第二方向正交的第三方向上离开。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

上述一对第二侧面相对于上述连接部件主面倾斜。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，

上述一对第二侧面所成的角度为60～120°。

15.根据权利要求12～14任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述第二突起还具有与上述一对第二侧面相连的第二顶面。