[发明专利]等离子体处理室

权利要求书

1.一种用来当作等离子体处理室的一部分的部件，所述等离子体处理室用于处理晶片，所述部件包含掺杂有钨、钽或硼中的至少一者的硅碳化物部件主体。

2.根据权利要求1所述的部件，其中在所述部件主体中，以原子数或分子数计算，钨、钽或硼中的至少一者比硅碳化物的比例介于0.01％至10％之间。

3.根据权利要求1所述的部件，其中所述部件为电极、边缘环或衬垫中的至少一者。

4.根据权利要求1所述的部件，其中所述部件通过提供化学气相沉积工艺而形成，所述工艺包含：

提供衬底，其中所述衬底温度高于1000℃；

提供含有硅及碳的蒸气前体；以及

在提供所述蒸气前体期间，提供含有钨、钽或硼中的至少一者的蒸气掺杂剂，其中使所述衬底暴露于所述蒸气前体和所述蒸气掺杂剂，其中所述蒸气前体和所述蒸气掺杂剂在所述衬底的表面上形成掺杂的SiC涂层。

5.根据权利要求4所述的部件，其中所述部件进一步通过多个步骤形成，所述步骤包含：

移除所述掺杂的SiC涂层的一部分以暴露所述衬底的一部分；

移除所述衬底；以及

加工所述掺杂的SiC涂层。

6.一种用于处理晶片的设备，其包含：

处理室；

用于在所述处理室内支撑晶片的晶片支撑件；

气体入口，其用于提供气体至所述处理室；以及

位于所述处理室内的部件，其中所述部件包含掺杂有钨、钽或硼中的至少一者的硅碳化物。

7.根据权利要求6所述的设备，其中在所述部件中，以原子数或分子数计算，钨、钽或硼中的至少一者比硅碳化物的比例为介于0.01％至10％之间。

8.根据权利要求6所述的设备，其中所述部件为电极、边缘环或衬垫中的至少一者。

9.根据权利要求6所述的设备，其还包含连接至所述气体入口的气体源，其中所述气体源包含：

含氧组分源；以及

含氟组分源。

10.根据权利要求6所述的设备，其中所述部件通过提供化学气相沉积工艺而形成，所述工艺包含：

提供衬底，其中所述衬底的温度高于1000℃；

提供含有硅和碳的蒸气前体；以及

在提供所述蒸气前体期间，提供含有钨、钽或硼中的至少一者的蒸气掺杂剂，其中所述衬底暴露于所述蒸气前体和所述蒸气掺杂剂，其中所述蒸气前体和所述蒸气掺杂剂在所述衬底的表面上形成掺杂的SiC涂层。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述部件进一步通过多个步骤形成，所述步骤包含：

移除所述掺杂的SiC涂层的一部分以暴露所述衬底的一部分；

移除所述衬底；以及

加工所述掺杂的SiC涂层。

12.一种形成用于等离子体处理室的元件的方法，其包含从掺杂有钨、钽或硼中的至少一者的硅碳化物形成所述元件。

13.根据权利要求12所述的方法，其中在所述元件中，以原子数或分子数计算，钨、钽或硼中的至少一者比硅碳化物的比例介于0.01％至10％之间。

14.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述元件包含提供化学气相沉积，所述化学气相沉积包含：

提供衬底，其中所述衬底的温度高于1000℃；

提供含有硅和碳的蒸气前体；以及

在提供所述蒸气前体期间，提供含有钨、钽或硼中的至少一者的蒸气掺杂剂，其中所述衬底暴露于所述蒸气前体和所述蒸气掺杂剂，其中所述蒸气前体和所述蒸气掺杂剂在所述衬底的表面上形成掺杂的SiC涂层。