[发明专利]等离子体处理室

说明书

提供了一种用来当作等离子体处理室的一部分的部件，所述等离子体处理室用于处理晶片。所述部件包含掺杂有钨、钽或硼中的至少一者的硅碳化物部件主体。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年10月5日提交的美国申请No.62/742,152的优先权，其通过引用并入本文以用于所有目的。

技术领域

本公开内容涉及用于等离子体处理晶片的等离子体处理室。更具体而言，本公开内容涉及具有可对抗等离子体损害的部件的等离子体处理室。

背景技术

等离子体处理被用于形成半导体装置。在等离子体处理期间，等离子体处理室的部件可能被等离子体腐蚀。

发明内容

为了实现前述目的并且根据本公开内容的目的，提供了一种用来当作等离子体处理室的一部分的部件，所述等离子体处理室用于处理晶片。所述部件包含掺杂有钨、钽或硼中的至少一者的硅碳化物部件主体。

在另一种表现形式中，提供了一种用于处理晶片的设备。提供了处理室。用以支撑晶片的晶片支撑件位于处理室内。气体入口将气体提供至处理室内。位于处理室内的部件包含掺杂有钨、钽或硼中的至少一者的硅碳化物。

在另一种表现形式中，提供了一种形成用于等离子体处理室中的部件的方法。所述部件由掺杂有钨、钽或硼中的至少一者的硅碳化物形成。

本公开内容的这些特征和其他特征将在下面的详细描述中并结合以下附图更详细地描述。

附图说明

在附图中以示例而非限制的方式示出了本公开内容，并且附图中类似的附图标记表示相似的要件，其中：

图1为根据一实施方案的等离子体处理室的示意图；

图2为一实施方案的高阶流程图；

图3A-E为根据一实施方案所形成的部件的示意性横截面图。

具体实施方式

现在将参考附图中所示的几个优选实施方案来详细描述本公开。在下面的描述中，阐述了许多具体细节以便提供对本公开的彻底理解。然而，对于本领域技术人员显而易见的是，本公开可以在没有这些具体细节中的一些或全部的情况下实施。在其他情况下，未详细描述公知的工艺步骤和/或结构，以免不必要地使本公开不清楚。

图1为等离子体处理反应器的示意图，实施方案可在其中用于处理晶片。在一或多个实施方案中，等离子体处理室100包括由室壁152包围而位于蚀刻室149中的气体分配板106(其提供气体入口)以及静电卡盘(ESC)108。在蚀刻室149中，晶片103定位于ESC 108上方。ESC 108是晶片支撑件。边缘环109围绕ESC 108。ESC源148可提供偏置到ESC 108。气体源110通过气体分配板106而连接到蚀刻室149。在本实施方案中，气体源包括含氧组分源114、含氟组分源116、以及一或多个其他气体源118。ESC温度控制器150连接至ESC 108。

射频(RF)源130提供RF功率至下电极和/或上电极。在本实施方案中，ESC 108是下电极，而气体分配板106是上电极。在示例性实施方案中，由400千赫(kHz)、60兆赫(MHz)、2MHz、13.56MHz和/或27MHz的电源组成RF源130和ESC源148。在本实施方案中，上电极接地。在本实施方案中，为每个频率提供一个产生器。在其他实施方案中，产生器可以是单独的RF源，或者单独的RF产生器可以连接到不同的电极。例如，上电极可以具有连接到不同RF源的内电极与外电极。在其他实施方案中可以使用RF源和电极的其他配置。在其他实施方案中，电极可以是感应线圈。