[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置在审
申请号: | 201980065636.5 | 申请日: | 2019-09-25 |
公开(公告)号: | CN112789709A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 犹原英司;冲田有史;角间央章;增井达哉 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B05C11/08;H01L21/027 |
代理公司: | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人: | 魏彦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 以及 装置 | ||
提供一种能够监视喷出到基板的端部的液柱状的处理液的着落位置的基板处理方法。基板处理方法具有保持工序、旋转工序、上升工序、斜面处理工序、拍摄工序以及监视工序。在保持工序中,使基板保持部保持基板。在旋转工序中,使基板保持部旋转来使基板旋转。在上升工序中,使包围基板保持部的外周的杯构件上升,使杯构件的上端位于比基板的上表面高的上端位置。在斜面处理工序中,从位于比该上端位置低的位置的喷嘴的喷出口向基板的上表面的端部喷出处理液。在拍摄工序中,使相机对从基板的上方的拍摄位置观察的拍摄区域进行拍摄,获得拍摄图像,在该拍摄区域中包括从喷嘴喷出的处理液以及映现在基板的上表面的喷出液的镜像。在监视工序中,基于拍摄图像中的处理液与该镜像,监视处理液的着落位置。
技术领域
本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置。
背景技术
作为对基板进行处理的装置,使用一边使基板在水平面内旋转一边从喷出喷嘴对该基板的表面喷出处理液的基板处理装置。从喷出喷嘴着落至基板的大致中央的处理液通过伴随着基板的旋转的离心力而扩展至基板的整个表面,并从基板的周缘向外侧飞散。通过使处理液扩展至基板的整个表面,能够使处理液作用于基板的整个表面。作为处理液,采用与对基板的处理相应的药液或者清洗液等。
在这样的基板处理装置中,提出有一种设置有相机以监视处理液是否适当地被喷出的技术(专利文献1~5)。
此外,在半导体基板的制造工序中,残留在基板的周缘端部上的各种膜有时会对基板的器件(device)面产生不良影响。
因此,以往,提出有一种用于从基板的周缘端部除去该膜的斜面(bevel)处理。在斜面处理中,一边使基板在水平面内旋转,一边从喷出喷嘴向该基板的端部喷出除去用的处理液,通过该处理液除去基板的周缘端部的膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-173148号公报
专利文献2:日本特开2017-29883号公报
专利文献3:日本特开2015-18848号公报
专利文献4:日本特开2016-122681号公报
专利文献5:日本特开2008-135679号公报
发明内容
发明要解决的问题
在斜面处理中,由于只要仅向基板的端部供给处理液即可,因此该处理液的流量变少。也就是说,从喷出喷嘴喷出的液柱状的处理液变细。因此,该液柱状的处理液容易受到伴随着基板的旋转的气流以及周围所产生的静电等各种因素的影响,其喷出状态容易变动。具体而言,可能会因为该各种因素导致处理液相对于基板的着落位置偏移。由于着落位置的偏移会对工艺造成不良影响,因此希望能够监视处理液的喷出状态。
然而,在斜面处理中,由于喷出喷嘴与基板之间的间隔狭窄,因此为了拍摄从喷出喷嘴喷出的液柱状的处理液需要耗费工夫。
因此,本发明的目的在于,提供一种能够监视喷出到基板的端部的液柱状的处理液的着落位置的基板处理方法以及基板处理装置。
用于解决问题的手段
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- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造