[发明专利]用于检查的装置、方法及记录命令的记录介质

说明书

本公开提供一种装置。根据本公开的一种装置包括：至少一个第一光源，所述至少一个第一光源向位于基准面上的对象体照射照明光；一个以上的摄像头，所述一个以上的摄像头捕获(capture)所述照明光从所述对象体反射而生成的一个以上的照明图像；及一个以上的处理器，所述处理器，可以在所述一个以上的照明图像上确定表示所述对象体的边角(edge)的一个以上的轮廓线，基于所述一个以上的轮廓线确定所述对象体上面的边角相对于所述基准面所具有的高度值，基于所述高度值确定所述对象体上面与所述基准面之间的第一角度。

技术领域

本公开涉及一种用于检查的技术。

背景技术

在半导体的制造工艺中，进行各种检查以确认是否适当地执行了针对半导体的各种处理、工艺等。例如，可以执行关于设置在半导体基板上的晶粒(die)等元件是否位于在半导体基板上应放置的位置等的检查。

尤其是，对于安装在半导体基板上的晶粒，可以执行检查以确认安装的晶粒和基板之间是否存在倾斜(tilt)。通常，在基板上涂布有焊料或焊料球的状态下，可以将晶粒安装在焊料或焊料球上部。此时，晶粒的下面应以与半导体基板的基准面平行的方式安装，但也可以因为规定的要素(例如，焊料或焊料球的涂布状态)，晶粒以对于半导体基板倾斜一定角度的形态安装。由于这是有可能导致半导体装置的不良的因素，因此在检查半导体的过程中，应能够确认晶粒是否倾斜，若倾斜则要确认倾斜多少角度以上。

为了执行针对这种倾斜的检查，可以采用对半导体晶粒照射三维照明的三维检查器。但是以这种方式难以获得作为检查对象的晶粒的三维形状。这是因为，通常，半导体晶粒的上面由反射体构成，照射的三维照明在半导体晶粒的上面可引起全反射，由此，对半导体晶粒的成像效果可能不佳。

另外，为了执行对上述倾斜的检查，可以使用采用了白光扫描干涉仪(WhiteLight Scanning Interferometry)的装备。然而，就这种方式而言，在半导体晶粒对于基准面倾斜特定角度(例：1.2度)以上的情况下，则存在未形成对该晶粒的像的问题。

另外，为了执行对上述倾斜的检查，可以采用二维方式的面积检查。拍摄倾斜的四角形的半导体晶粒时，根据倾斜程度看起来像是平行四边形模样，二维方式的面积检查是通过该平行四边形的形态导出倾斜程度的方式。然而，在半导体晶粒的上面以反射体形成的情况下，这种方式仍然是无法获得正确的平行四边形形态，因此存在无法正确预测对象体的倾斜程度的问题。

发明内容

要解决的技术问题

本公开旨在解决现有技术的上述缺陷，提供一种用于检查的技术。

解决问题的手段

作为本公开的一侧面，可以提供一种用于检查的装置。根据本公开的一侧面的装置，包括：至少一个第一光源，所述至少一个第一光源向位于基准面上的对象体照射照明光；一个以上的摄像头，所述摄像头捕获(capture)所述照明光从所述对象体反射而生成的一个以上的照明图像；及一个以上的处理器，所述处理器，可以在所述一个以上的照明图像上确定表示所述对象体的边角(edge)的一个以上的轮廓线，基于所述一个以上的轮廓线确定所述对象体上面的边角相对于所述基准面具有的高度值，基于所述高度值确定所述对象体上面与所述基准面之间的第一角度。

在一实施例，还包括：至少一个第二光源，所述至少一个第二光源向所述对象体照射图案光，所述一个以上的摄像头捕获所述图案光从所述对象体反射而生成的一个以上的图案图像，所述处理器，可以基于所述一个以上的照明图像及所述一个以上的图案图像确定表示所述对象体的边角的所述一个以上的轮廓线，基于所述一个以上的轮廓线确定与所述对象体的上面对应的虚拟平面，且将所述虚拟平面与所述基准面之间的第二角度确定为所述第一角度。

在一实施例，所述一个以上的摄像头可以包括：上方摄像头，所述上方摄像头从所述对象体的上方捕获照明图像或图案图像；及一个以上的侧方摄像头，所述一个以上的侧方摄像头从所述对象体的一个以上的侧方捕获照明图像或图案图像。