[发明专利]用于等离子体处理腔室的导热间隔件

说明书

本公开内容的方面涉及用于在等离子体处理腔室的盖组件内使用的导热间隔件。在一个实施方式中，等离子体处理腔室包括腔室主体和盖组件，所述盖组件耦接至所述腔室主体，从而限定处理空间。所述盖组件包括耦接至所述腔室主体的背板，以及具有从中穿过而形成的多个气体开口的扩散器。所述盖组件还包括设置在所述背板与所述扩散器之间的导热间隔件，以将热从所述扩散器传递至所述背板。所述等离子体处理腔室包括设置在所述处理空间内的基板支撑件。

技术领域

本公开内容的方面总体涉及用于基板处理的系统和设备。更具体地，本公开内容的方面涉及用于在等离子体处理腔室的盖组件内使用的导热间隔件。

背景技术

可采用等离子体处理(诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD))来在基板上沉积薄膜以形成电子装置。随着技术进步，形成在基板上的装置几何形状和结构的复杂性不断增加。

另外，对电子装置的需求，诸如对更大的显示器和太阳能面板的需求，也不断增长，并且继而，用于制造这种装置的基板的尺寸也不断增长。因此，制造工艺(诸如大面积PECVD工艺)必须不断改善，以便满足获得均匀性和期望的膜特性的越来越困难的需求。

大面积PECVD处理所面临的一个挑战是等离子体处理腔室内的等离子体不均匀性。多种因素和要素(诸如热)都可能会导致等离子体处理腔室内的等离子体在接近基板的边缘的区域中弯曲。等离子体的这种弯曲导致基板的不均匀处理。

另一个挑战是与清洁速率相关联的低效率。较低的清洁速率导致要更长的时间来清洁工艺腔室的部件，从而影响产量、操作成本和效率。

因此，需要一种设备，所述设备促进改善在等离子体处理腔室中执行的沉积工艺的均匀性，并且促进改善等离子体处理腔室的清洁速率。

发明内容

本公开内容总体涉及一种用于等离子体处理的设备。更具体地，本公开内容涉及一种用于在处理期间在基板的表面上提供等离子体均匀性而同时促进低清洁速率的设备。

在一个实施方式中，等离子体处理腔室包括腔室主体和盖组件，所述盖组件耦接至所述腔室主体，从而限定处理空间。所述盖组件包括耦接至所述腔室主体的背板，以及具有从中穿过而形成的多个气体开口的扩散器。所述盖组件还包括设置在所述背板与所述扩散器之间的导热间隔件，以将热从所述扩散器传递至所述背板。所述等离子体处理腔室包括设置在所述处理空间内的基板支撑件。

在一个实施方式中，用于等离子体处理腔室的盖组件包括背板，以及具有从中穿过而形成的多个气体开口的扩散器。所述盖组件还包括设置在所述背板与所述扩散器之间的导热间隔件，以将热从所述扩散器传递至所述背板。

在一个实施方式中，用于等离子体处理腔室的背板设备包括具有顶表面和底表面的背板。实施背板设备还包括具有从所述背板的所述底表面突出的一个或多个突出部的导热间隔件。所述导热间隔件与所述背板一体形成以形成主体。

附图说明

为了能够理解本公开内容的上述特征的细节，可参照实施方式，得到对上文简洁地概述的本公开内容的更详细的描述，实施方式的一部分示出在所附附图中。然而，需注意，所附附图仅示出示例性实施方式，并且因此不被认为对本公开内容的范围造成限制，因为本公开内容可允许其他等效实方式。

图1是示出根据一种实施方式的等离子体处理腔室的示意剖面图。

图2是示出根据一种实施方式的盖组件的示意分解透视图。

图3是示出根据一种实施方式的盖组件的示意分解透视图。

图4是示出根据一种实施方式的盖组件的示意分解透视图。

图5A是示出根据一种实施方式的盖组件的示意分解透视图。

图5B是示出根据一种实施方式的图5A所示的盖组件的透视剖面图。