[发明专利]用于电子装置的互连件在审
申请号: | 201980067481.9 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN112889146A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | P·F·汤普森;C·D·马纳克;S·赫策;R·阿格拉瓦尔 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/482 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电子 装置 互连 | ||
1.一种半导体裸片,其包括:
衬底;
集成电路,所述集成电路经提供在所述衬底上且具有接触件;
导电层,所述导电层经提供在所述集成电路上,并界定电连接到所述接触件的导电元件;及
导电互连件,所述导电互连件与相应导电元件耦合,所述导电互连件具有彼此不同的大小或形状中的至少一者。
2.根据权利要求1所述的裸片,其中所述导电互连件中的至少一者具有从所述导电元件延伸的厚度,所述厚度大于垂直于所述厚度延伸的宽度。
3.根据权利要求1所述的裸片,其中所述导电互连件中的至少一者的形状是多边形的。
4.根据权利要求1所述的裸片,其中所述导电互连件中的至少一者具有大于1:1的纵横比。
5.根据权利要求1所述的裸片,其进一步包括经提供在所述导电层上并包含暴露所述导电元件的开口的绝缘层。
6.根据权利要求5所述的裸片,其中所述导电互连件延伸穿过所述开口而与所述导电元件接触。
7.根据权利要求1所述的裸片,其中每一导电互连件包括包含锡的第一部分及包含铜且位于所述第一部分与所述导电层之间的第二部分。
8.根据权利要求7所述的裸片,其中所述第二部分具有约25到55μm的厚度。
9.根据权利要求7所述的裸片,其中所述导电互连件中的至少一者具有约60μm的厚度。
10.根据权利要求1所述的裸片,其中所述多个导电元件包括彼此交错的第一及第二元件,其中所述导电互连件与所述第一及第二元件接触。
11.一种电子封装,其包括:
裸片,所述裸片包括:
衬底;
集成电路,所述集成电路经提供在所述衬底上且具有接触件;
导电层,所述导电层经提供在所述集成电路上,并界定电连接到所述接触件的导电元件;
导电互连件,所述导电互连件与相应导电元件耦合,所述导电互连件具有彼此不同的大小或形状中的至少一者;
引线框,所述引线框经固定在所述导电互连件。
12.根据权利要求11所述的电子封装,其中所述导电互连件中的至少一者具有从所述导电元件延伸的厚度,所述厚度大于垂直于所述厚度延伸的宽度。
13.根据权利要求11所述的电子封装,其中所述导电互连件中的至少一者的形状是多边形的。
14.根据权利要求11所述的电子封装,其中所述导电互连件中的至少一者具有大于1:1的纵横比。
15.根据权利要求11所述的电子封装,其进一步包括经提供在所述导电层上的绝缘层,并包含暴露所述导电元件的开口。
16.根据权利要求15所述的电子封装,其中所述导电互连件延伸穿过所述开口而与所述导电元件接触。
17.根据权利要求11所述的电子封装,其中每一导电互连件包括包含锡的第一部分及包含铜且位于所述第一部分与所述导电层之间的第二部分。
18.根据权利要求17所述的电子封装,其中所述第二部分具有约25到55μm的厚度。
19.根据权利要求17所述的电子封装,其中所述导电互连件中的至少一者具有约60μm的厚度。
20.根据权利要求11所述的电子封装,其中所述多个导电元件包括彼此交错的第一及第二元件,其中所述导电互连件与所述第一及第二元件接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造