[发明专利]用于电子装置的互连件在审
申请号: | 201980067481.9 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN112889146A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | P·F·汤普森;C·D·马纳克;S·赫策;R·阿格拉瓦尔 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/482 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电子 装置 互连 | ||
一种半导体裸片(94)包含衬底(110)及集成电路(120),所述集成电路(120)经提供在所述衬底(110)上且具有接触件(121)。导电层(130)经提供在所述集成电路(120)上,并界定电连接到所述接触件(121)的导电元件。导电互连件(150)与相应导电元件耦合。所述导电互连件(150)具有彼此不同的大小或形状中的至少一者。
背景技术
本发明涉及用于电子装置的互连件。
发明内容
在一个实例中,一种半导体裸片包含衬底及集成电路,所述集成电路经提供在所述衬底上且具有接触件。导电层经提供在所述集成电路上,并界定电连接到所述接触件的导电元件。导电互连件与相应导电元件耦合。所述导电互连件具有彼此不同的大小或形状中的至少一者。
在另一实例中,一种电子封装包含裸片,所述裸片具有衬底及经提供在所述衬底上的集成电路。所述集成电路包含接触件。导电层经提供在所述集成电路上,并界定电连接到所述接触件的导电元件。导电互连件与相应导电元件耦合。所述导电互连件具有彼此不同的大小或形状中的至少一者。引线框经固定到所述导电互连件。
附图说明
图1是用于形成电子装置的实例晶片的透视图。
图2是沿图1的线2-2截取并展示裸片的剖面图。
图3A是由裸片中的导电互连件接触的导电元件的示意说明。
图3B是图3A的透视图。
图4是另一实例电子装置的俯视图。
图5是另一实例电子装置的俯视图。
图6是又一实例电子装置的剖面图。
具体实施方式
图1说明用于形成电子装置的实例晶片90。所述电子装置可为例如集成电路的晶片级芯片规模封装(WLCSP)。或者,所述电子装置可为芯片或裸片尺度、PCB尺度或面板尺度或电子封装。因此,所述电子装置可为毫米大小的尺度或高达几英尺的大小。
如所展示,晶片90包含具有第一侧112及第二侧114的衬底110。衬底110可为圆形的,且具有例如约200或300mm的直径。或者,衬底110可为正方形或矩形的(未展示)。衬底110可由半导体材料(例如硅)形成。晶片90被切割,例如通过隐形切割,以将晶片单个化为个别裸片94(图2)。裸片94在被连接到引线框147时,形成电子封装或装置100。
在每一裸片94内,在衬底110的第二侧114上制造或以其它方式提供集成电路120。集成电路120包含示意性地在121处展示的一或多个接触件。集成电路120可经布置成围绕第二侧114彼此等距间隔的栅格或阵列。取决于衬底110及集成电路120的大小,可在衬底的第二侧114上制造数千或数万个集成电路。每一集成电路120包含背向衬底110的表面或侧108。
参考图2及3A,导电材料层130经提供在集成电路120的侧108上,并界定一或多个导电的第一、第二及第三元件131、133、135以用于重新分配及/或路由功率。层130可由金属形成,例如铜或铝。元件131、133、135可包含以不同图案形成的导电线及/或导电接触件。
如图3A所示,元件131、133形成为第一及第二线。元件135形成为接触件。考虑线及接触件的其它排列及组合。每一元件131、133通过集成电路中的通孔(未展示)电连接到一或多个接触件121。每一元件131、133可包含至少一个基底134及从每一基底向一或多个方向延伸的多个指状部136。基底134可具有多边形形状,例如正方形、矩形或梯形。指状部136可为大体上矩形的,且具有从基底134延伸的大于宽度的长度。所展示的元件131包含一对基底134及在基底之间延伸的指状部136。至少一些指状部136在基底134之间延伸并互连。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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